GDDR6: Samsung startet Massenproduktion und schockiert Konkurrenz

Samsung, Chip, Speicher, Chips, GDDR6 Bildquelle: Samsung
Die nächste Speichergeneration GDDR6 wurde von Samsung bereits im vergangenen Herbst angekündigt, zur CES sollte es dann neue Informationen geben. In Las Vegas war das Thema aber allenfalls eine Fußnote im Angebot des koreanischen Herstellers. Nun hat man aber - etwas überraschend - den Start der Massenproduktion bekannt gegeben.

Start der Massenproduktion

Auf der Consumer Electronics Show spielte das Thema GDDR6 höchstens auf Nachfrage eine Rolle und allzu viele Informationen sind deshalb nicht von der CES vermeldet worden. Heute hat sich Samsung dazu wieder zu Wort gemeldet und das durchaus auf beeindruckende Weise. Denn die Koreaner haben in einer Pressemitteilung bekannt gegeben, dass man bei GDDR6 nicht nur die Produktion aufnimmt, sondern auch gleich große Stückzahlen herstellen wird.

In der Regel gehen Hersteller solche Markteinführungen gemächlich an, die Koreaner sind sich offenbar ihrer Sache besonders sicher. Das dürfte SK Hynix und Micron einen ordentlichen Schock versetzen, denn die Samsung-Konkurrenten wollten die Produktion erst im Verlauf des Jahres aufnehmen. Samsung 16 Gigabit GDDR6Schneller als ursprünglich geplant: Samsungs 16-Gigabit-GDDR6-Speicher

Noch besser als angekündigt

Samsung preschte nun aber vor und hat sogar die Geschwindigkeit seiner Chips nach oben korrigiert. Denn die im 10-Nanometer-Verfahren gefertigten GDDR6-Speicher werden mit 1,35V laufen und man kann sie ruhigen Gewissens als blitzschnell bezeichnen. Denn sie werden eine Pin-Geschwindigkeit von 18 Gigabit pro Sekunde (Gbit/s) bieten, bisher sprach das Unternehmen von 16 Gbit/s.

Damit können 72 Gigabyte pro Sekunde transferiert werden, auch dieser Wert ist entsprechend höher als ursprünglich angegeben (64GB/s). Pro Chip sind damit Kapazitäten von 2 Gigabyte möglich, dadurch können 16-GB-Grafikkarten hergestellt werden.

Interessant ist sicherlich auch der Vergleich mit den bisherigen Lösungen: Die 20nm-GDDR5-Speicher schafften eine Pin-Geschwindigkeit von 8 Gbit/s, auch der Energieverbrauch ist niedriger, da bei GDDR5 1,55V gemessen wurden.

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