UltraRAM: Durchbruch bei neuer nichtflüchtiger Speicher-Technologie
Das allerdings ändert sich jetzt. In einem neuen Paper legen die Entwickler eine weiterentwickelte Architektur dar, inklusive der Möglichkeiten, diese im industriellen Maßstab zu produzieren. Der Trick dabei besteht darin, dass man sich an Verfahren bediente, mit denen heute bereits optische Halbleiter-Komponenten hergestellt werden, zu denen LEDs, Laser und Infrarot-Detektoren gehören. Die Grundlage bilden dabei Gallium Arsenide-Wafer, die inzwischen in größeren Mengen zu bekommen sind.
Lange Haltbarkeit
Die so konstruierten Speicherzellen haben in den Tests Geschwindigkeiten beim Schreiben und Lesen erreicht, die beim hundert- bis tausendfachen von modernen Flash-Architekturen liegen. Doch nicht nur bei der Performance sind die Chips mit DRAM-Komponenten vergleichbar, auch bei der Energieeffizienz und Lebensdauer kommt man auf ähnliche Werte. Gepaart natürlich mit dem Vorteil, dass die gespeicherten Informationen erhalten bleiben, wenn kein Strom anliegt - den jeweiligen Zustand können die Zellen laut den Messungen und den daraus folgenden Hochrechnungen bis zu tausend Jahre behalten.Aktuell lässt sich allerdings noch wenig darüber sagen, wie preiswert der Produktionsprozess sein wird. Die Optane-Speicher Intels sind beispielsweise noch zu teuer, als dass sie zu einer grundlegend neuen Computer-Architektur führen würden. Daher kommen sie aktuell im Grunde nur als schnelle SSDs in Servern zum Einsatz.
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