Bisher dünnste LED ist nur noch drei Atome stark

Wissenschaftler an der University of Washington haben ein einfaches Verfahren zur Produktion der bisher dünnsten LEDs entwickelt, die den Anforderungen zukünftiger Entwicklungen im Elektronik-Bereich gerecht werden sollen. Im besten Fall handelt es sich um eine lediglich drei Atome dicke Schicht, die zum Aussenden von Licht angeregt werden kann. Um eine höhere Leuchtkraft zu erreichen, können mehrere dieser Layer übereinandergelegt werden. Das würde trotzdem die Herstellung von Displays ermöglichen, die weitaus dünner als alles sind, was heute in Smartphones verbaut wird.


Doch nicht nur die starke Miniaturisierung bringt das Verfahren als Vorteil mit. Die Schichten werden im einfachsten Fall schlicht auf einem Klebestreifen aufgebracht, der in der industriellen Fertigung dann wohl eher durch eine Spezialfolie ersetzt würde. Die Panels bleiben so sehr flexibel, was die Herstellung flexibler, biegbarer Displays ermöglichen würde.

Das grundsätzliche Verfahren kannten die Forscher bereits aus der Arbeit mit Graphen. Statt dessen verwandten sie hier aber Wolframdiselenid mit einem zusätzlichen Layer Silizium-Oxid. Mit dieser Verbindung kann dann auf die gleiche Art und Weise verfahren werden, wie mit allen anderen Halbleiter-Verbindungen. So können also präzise anzusteuernde Dioden konstruiert werden.

Mit einem einzelnen Layer bringt man es hier bereits auf ausreichend Lichtausbeute, um optische Chips in sehr starker Miniaturisierung zu realisieren, hieß es. Diese gelten als leistungsstarke und energieeffiziente Alternative zu den klassischen Elektronik-Komponenten. Aber eben auch die Fertigung von sehr dünnen und flexiblen Displays, wie sie für zukünftige portable Systeme als kritische Komponenten angesehen werden, ist möglich. Die Ergebnisse ihrer Entwicklungsarbeit haben die beteiligten Forscher gerade im renommierten Wissenschafts-Magazin Nature veröffentlichen können. Wissenschaft, Halbleiter, Licht, Led University of Washington