Samsung: Serienproduktion von Flash-Alternative
PRAM (Phase-change Random Access Memory) speichert Informationen, indem der elektrische Widerstand der einzelnen Zellen wechselt - je nachdem, ob das Material einen kristallinen oder amorphen Zustand hat. Diese Zustände können beliebig oft wechseln und bleiben stabil, wenn keine äußere Einwirkung vorliegt.
Das Prinzip ist mit der Funktionsweise wiederbeschreibbarer optischer Medien vergleichbar. Samsung hatte im Jahr 2006 erstmals einen Prototypen vorgestellt. Das Vorhaben, bereits 2008 in die Massenproduktion einsteigen zu können, konnte man aber nicht einhalten. Nun sei es aber soweit, teilte das Unternehmen mit.
Erste Samples von 512 Megabyte-Chips sollen in diesen Tagen an potenzielle Abnehmer verschickt werden. Diese sollen etwa 30 Mal schneller sein als herkömmlicher Flash-Speicher. Außerdem geht man von einer Verzehnfachung der Lebensdauer aus.
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Christian Kahle
Redakteur bei WinFuture
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