Forscher entwickeln nichtflüchtige Silizium-Speicher

Einem Forscher-Team aus den USA ist es gelungen, magnetische Mechanismen in herkömmliche Chip-Transistoren zu integrieren. Das soll die Herstellung nichtflüchtiger Speicher zukünftig erleichtern. Wie die National Science Foundation (NSF), von denen die Gruppe von Wissenschaftlern unterstützt wird, mitteilte, ermöglicht die Neuentwicklung die Produktion von Speichern, die eine sofortige Verfügbarkeit von Computern ermöglichen. Komplett abgeschaltete Geräte müssen dann nicht mehr hochgefahren werden.

Ähnlich wie es beim Stand-by-Modus der Fall ist, ist das Betriebssystem weiter im Speicher enthalten. Allerdings wird dafür in der Zwischenzeit keine Energie benötigt. Auch die Gefahr eines Datenverlustes bei Stromausfällen wird so minimiert, hieß es

Nichtflüchtige Speicher, die ähnliche Leistungsdaten wie RAM aufweisen, sind bereits länger Gegenstand der Forschung. Hier gab es in der Vergangenheit bereits verschiedene Erfolge zu verzeichnen. Erstmals ist es nun allerdings gelungen, die benötigten Magnetismus-Effekte direkt in Silizium-Layer zu integrieren.

Bis erste entsprechende Chips tatsächlich in den Handel kommen, sei aber noch einiges an Forschungsarbeit nötig. Einen Zeitrahmen wollten die Wissenschaftler, die von verschiedenen US-Universitäten stammen, daher noch nicht nennen.