MIT: 12-nm-Chips mit heutiger Technik realisierbar
Eine entsprechende Weiterentwicklung der Technologie hat das renommierte Massachusetts Institute of Technology (MIT) nun vorgestellt. "Wir haben 25-Nanometer-Funktionen gezeigt, sind uns aber sicher, dass wir eine noch feinere Auflösung erreichen können", sagte Mark Schattenburg, Leiter des Space Nanotecnology Laboratory des MIT.
Die neu entwickelte Methode nennt sich "Scanning Beam Interference Lithography". Statt eines Lasers werden dabei zwei Laser mit unterschiedlichen Frequenzen zum Brennen der Chip-Strukturen in den Wafer eingesetzt. Durch Interferenzen entsteht dabei ein deutlich feinerer Lichtstrahl.
Bei der neuen Technologie arbeitet man außerdem nicht mehr mit einem fest eingespannten Wafer. Dieser wird während des Brennvorgangs selbst bewegt. Um den dabei entstehenden Auswirkungen des Doppler-Effektes beim Laserstrahl entgegenzuwirken, wird die Halbleiter-Platte außerdem mit einem 100-Megahertz-Ton in Schwingung versetzt.
Schattenburg hat inzwischen bereits eine Firma gegründet, in der die neue Technologie marktreif gemacht werden soll. Das Plymouth Grating Laboratory ist dann für die Lizenzierung an die Hersteller von Chip-Fertigungsanlagen verantwortlich.
Die neu entwickelte Methode nennt sich "Scanning Beam Interference Lithography". Statt eines Lasers werden dabei zwei Laser mit unterschiedlichen Frequenzen zum Brennen der Chip-Strukturen in den Wafer eingesetzt. Durch Interferenzen entsteht dabei ein deutlich feinerer Lichtstrahl.
Bei der neuen Technologie arbeitet man außerdem nicht mehr mit einem fest eingespannten Wafer. Dieser wird während des Brennvorgangs selbst bewegt. Um den dabei entstehenden Auswirkungen des Doppler-Effektes beim Laserstrahl entgegenzuwirken, wird die Halbleiter-Platte außerdem mit einem 100-Megahertz-Ton in Schwingung versetzt.
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Christian Kahle
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