TSMC beginnt mit Testfertigung von Chips mit 3nm Strukturbreite
Der weltgrößte Chip-Vertragsfertiger TSMC hat mit der Fertigung der ersten Wafer mit nur noch drei Nanometern Strukturbreite begonnen. Damit ebnet man den Weg zu noch kleineren Chips von Anbietern wie Apple, Qualcomm, AMD und bald wohl sogar Intel.
Laut dem taiwanischen Branchendienst DigiTimes läuft in der sogenannten Fab 18 von TSMC im Süden von Taiwan bereits die Testproduktion im sogannten N3 Node also mit einer Strukturbreite von nur noch drei Nanometern. TSMC ist somit der erste Chipfertiger weltweit, der Produkte mit derart geringen Abständen zwischen ihren Strukturen in die Massenfertigung überführen will.
TSMC setzt bei seinen 3nm-Chips zunächst weiter auf die FinFET-Technologie, um rasch und zuverlässig hohe Ausbeuten zu erzielen. Anders als bei Samsung soll erst später die sogenannte Gate-All-Around (GAA)-Technologie zum Einsatz kommen, wobei TSMC nach eigenen Angaben wohl ab 2025 mit der Verfügbarkeit derartiger Chips aus seiner Produktion mit nur noch zwei Nanometern Strukturbreite rechnet.
Die ersten Abnehmer für bei TSMC im 3-nm-Maßstab gefertigte Chips werden wohl Apple und Intel sein. Apple könnte derartige SoCs also unter anderem im iPhone und iPad des Jahres 2023 einsetzen und damit neue Leistungsspitzen erreichen. Der x86-Spezialist Intel will hingegen mit der Nutzung von TSMCs Fertigungskapazitäten endlich die große Lücke zu seinen Konkurrenten schließen, was die Strukturbreiten seiner Chips angeht.
TSMC will angeblich bereits am Ende 2023 mit der Fertigung von Chips in einer verbesserten Version des N3 Node beginnen, die dann als N3E bezeichnet wird. Diese Chips dürften dann ab 2024 in ersten Retail-Produkten zu finden sein. Insgesamt versucht TSMC offenbar durch eine sichere Versorgung und stabile Ausbeuten die Kunden an sich zu binden, während Samsung mit der Verwendung modernerer Fertigungsansätze um Kunden buhlt, aber Probleme hat, die Chips mit guter Ausbeute zu bauen.
Erste Geräte mit 3nm-Chips wohl ab Anfang 2023 im Handel
Aktuell sieht man sich auf einem guten Weg, bis Ende 2022 die Vorarbeiten für die Massenproduktion im 3-Nanometer-Prozess der ersten Generation abzuschließen und derartige Chips dann in riesigen Mengen zu fertigen. Die neuen, noch kleineren Chips werden wohl ab Anfang 2023 in ersten Produkten Einzug halten, hieß es von TSMC vor einigen Wochen bereits offiziell.TSMC setzt bei seinen 3nm-Chips zunächst weiter auf die FinFET-Technologie, um rasch und zuverlässig hohe Ausbeuten zu erzielen. Anders als bei Samsung soll erst später die sogenannte Gate-All-Around (GAA)-Technologie zum Einsatz kommen, wobei TSMC nach eigenen Angaben wohl ab 2025 mit der Verfügbarkeit derartiger Chips aus seiner Produktion mit nur noch zwei Nanometern Strukturbreite rechnet.
Die ersten Abnehmer für bei TSMC im 3-nm-Maßstab gefertigte Chips werden wohl Apple und Intel sein. Apple könnte derartige SoCs also unter anderem im iPhone und iPad des Jahres 2023 einsetzen und damit neue Leistungsspitzen erreichen. Der x86-Spezialist Intel will hingegen mit der Nutzung von TSMCs Fertigungskapazitäten endlich die große Lücke zu seinen Konkurrenten schließen, was die Strukturbreiten seiner Chips angeht.
TSMC will angeblich bereits am Ende 2023 mit der Fertigung von Chips in einer verbesserten Version des N3 Node beginnen, die dann als N3E bezeichnet wird. Diese Chips dürften dann ab 2024 in ersten Retail-Produkten zu finden sein. Insgesamt versucht TSMC offenbar durch eine sichere Versorgung und stabile Ausbeuten die Kunden an sich zu binden, während Samsung mit der Verwendung modernerer Fertigungsansätze um Kunden buhlt, aber Probleme hat, die Chips mit guter Ausbeute zu bauen.
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