Infineon schafft großen Durchbruch bei Galliumnitrid (GaN)-Technologie

Den Entwicklern bei Infineon ist ein wichtiger Durchbruch in der Halb­leiter-Technologie gelungen. Erstmals konnte man eine 300mm-Wafer-Technologie für Leistungselektronik entwickeln, die auf Galliumnitrid (GaN) basiert. Das kann die ganze Branche beeinflussen.
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Endlich große Wafer

Infineon ist es gelungen, 300-Millimeter-GaN-Wafer auf einer integrierten Pilotlinie in der bestehenden 300-Millimeter-Siliziumproduktion in Villach (Österreich) herzustellen. Der deutsche Halbleiterkonzern will damit eine weltweite Führungsrolle in einem Segment des Marktes einnehmen, der bis zum Ende des Jahrzehnts auf mehrere Milliarden Dollar Umsatz anwachsen soll.

Ein wesentlicher Vorteil der jüngsten Entwicklung besteht darin, dass sie die bestehende 300-Millimeter-Fertigungsanlagen für Silizium nutzen kann, da sich Galliumnitrid und Silizium in den Fertigungsprozessen sehr ähnlich sind. Eine vollständig skalierte 300-Millimeter-GaN-Produktion wird dazu beitragen, dass die Kosten von GaN mit denen von Silizium weitgehend gleichziehen - was Kostengleichheit für vergleichbare Si- und GaN-Produkte bedeutet.


GaN-Chips sind im Vergleich zu Silizium-basierten Produkten deutlich besser geeignet, mit höheren Stromstärken und hohen Frequenzen umzugehen. Dadurch wird es möglich, insbesondere Produkte wie Ladegeräte, Solarwechselrichter oder Motorsteuerungssysteme sehr kompakt zu bauen. Bisher war dies mit höheren Kosten verbunden, was sich nun immer stärker relativiert.

Viel mehr Effizienz

GaN-Wafer wurden durchaus schon länger verarbeitet, sodass die Vorteile der Technologien in der Praxis bereits bekannt sind. Allerdings war die Prozesstechnik bisher auf 200-Millimeter-Wafer beschränkt, was mit geringerer Effizienz und entsprechend höheren Kosten verbunden war.

Die 300-Millimeter-Wafer entsprechen hingegen dem Stand in der höherwertigen Chipproduktion. Aus einem einzelnen verarbeiteten Wafer dieser Größe lassen sich 2,3 Mal so viele Chips schneiden, was die einzelnen Endprodukte natürlich deutlich billiger macht. Für Infineon wäre das ein enormer Wettbewerbsvorteil - zumal einige Konkurrenten gerade erst von 150 auf 200 Millimeter wechseln wollen.

Zusammenfassung
  • Infineon entwickelt 300mm GaN-Wafer für Leistungselektronik
  • Technologie basiert auf Galliumnitrid und beeinflusst die Branche
  • Produktion in Villach nutzt bestehende Silizium-Fertigungsanlagen
  • GaN-Produktion könnte Kosten mit Silizium-Produkten angleichen
  • GaN-Chips für hohe Stromstärken und Frequenzen geeignet
  • Bisherige GaN-Wafer waren auf 200mm beschränkt und teurer

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