Infineon schafft großen Durchbruch bei Galliumnitrid (GaN)-Technologie

Den Entwicklern bei Infineon ist ein wichtiger Durchbruch in der Halb­leiter-Technologie gelungen. Erstmals konnte man eine 300mm-Wafer-Technologie für Leistungselektronik entwickeln, die auf Galliumnitrid (GaN) basiert. Das kann die ganze Branche ... mehr...