Samsung baut jetzt Smartphone-Flash mit GB/s-Schreibgeschwindigkeit

Samsung will jetzt Speicher-Geschwindigkeiten in Smartphones rea­li­sie­ren, die alles bisherige in den Schatten stellen. Mit der Umsetzung eines neuen Standards will man in den Geräten eine Schreib­geschwindigkeit von einem Gigabyte pro Sekunde überschreiten. Samsung bietet bereits seit einiger Zeit Flash-Komponenten mit zugehörigen Controllern an, die mit dem UFS 3.0-Standard arbeiten. Die entsprechenden Produkte kommen in der eigenen Galaxy S20-Serie ebenso zum Einsatz wie in Premium-Modellen von OnePlus und Xiaomi. Mit dem neuen eUFS 3.1 will man nun noch einmal eine Schippe drauflegen und die maximale Schreibgeschwindigkeit etwa verdreifachen.

In der Praxis wird das aber in den meisten Fällen eher nicht erreicht, weil hier viele Faktoren eine Rolle spielen. Bei rein zufälligen Speicheroperationen, bei denen beispielsweise viele kleinere Dateien wie Bilder möglichst optimal in passende Lücken abgelegt werden sollen, schafft man aber immer noch eine Performance-Steigerung um die 60 Prozent, teilte Samsung mit.

Kommt im Galaxy Note 20

Um die Stärke besser ausspielen zu können, bedarf es eher kontinuierlicher Datenströme, wie sie beispielsweise anfallen, wenn die fortlaufende Aufnahme eines 4K-Videos oder mehr weggeschrieben werden muss. Wenn man bedenkt, dass Qualcomms neue Snapdragon 865-Prozessoren 8K-Aufnahmen mit 200-Megapixel-Sensoren und Superzeitlupen mit 960 Bildern pro Sekunde unterstützen, wird ein schnellerer Speicher sicher bald zur absoluten Notwendigkeit.

Aktuell hat Samsung damit begonnen, die neuen Speicherchips mit Kapazitäten von 512 Gigabyte zu produzieren. Es sollen aber auch Komponenten mit 128 und 256 Gigabyte kommen, mit denen die Technologie dann auch in etwas günstigeren Modellen Einzug halten kann. Erste Smartphones mit dem neuen Speicherstandard sollen noch in diesem Jahr auf den Markt kommen, man kann also davon ausgehen, dass Samsung die Chips im Galaxy Note 20 und vielleicht auch im Galaxy Fold 2 verbaut. Siehe auch: 410 GB/s im 16-GB-Die : Samsung Flashbolt macht HBM2 33% schneller