410 GB/s im 16-GB-Die: Samsung Flashbolt macht HBM2 33% schneller
Eine neue Generation an sehr schnellen Speicherlösungen
"Für eine neue Generation an Supercomputern, Grafiksystemen und künstlicher Intelligenz": In diesen Feldern sieht Samsung seine Weiterentwicklung der bisherigen HBM2-Komponenten am besten aufgehoben. Wie das Unternehmen laut Business Wire (via ComputerBase) mitteilt, kann Flashbolt 3,2 Gigabit pro Sekunde Datentransfer pro Pin erreichen, die Spitzenwerte lagen demnach bisher rund 33 Prozent niedriger.Wie Samsung weiter ausführt, konnten bei Flashbolt auch erstmals 16 Gigabit pro Die realisiert werden, was einer Verdopplung im Vergleich mit der Vorgänger-Generation entspricht. "Mit diesen Verbesserungen kann ein einzelnes Samsung HBM2E-Paket eine Bandbreite von 410 Gigabit pro Sekunde und 16 Gigabyte Speicher bieten", so das Unternehmen. Zum Vergleich: Dieser Wert lag in der Vorgängergeneration bei 307 Gigabit/s.
Auch wenn Produkte mit diesem Speicher noch eine ganze Weile auf sich warten lassen werden, lassen die jetzt bekannt gegebenen Spezifikationen eine Abschätzung zu, was mit Nachfolgern für Profi-Grafikkarten wie der aktuellen Nvidia Quadro GV100 mit 32 GB HBM2 möglich sein wird. Sollten hier ebenfalls vier HBM2-Stacks Verwendung finden, wären neben 64 GB Speicher auch sehr hohe Datenraten von bis zu 1,64 Terabyte pro Sekunde möglich.
Bisher ist noch kein Termin bekannt
Samsung scheint sich mit seinem verbesserten HBM2-Speicher für einen leistungsfähigen Zwischenschritt zu HBM3 entschieden zu haben - die ganz neue Generation an High Bandwidth Memory steht nach aktuellen Schätzungen nicht vor dem Jahr 2022 an. In seiner Mitteilung zu Flashbolt nennt Samsung aber noch keinerlei Zeitplan für die Verfügbarkeit, was dafür spricht, dass das Unternehmen die Lösungen wohl gerade erst für eine Massenproduktion vorbereitet.
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