SanDisk und Toshiba verdoppeln Speicherdichte in neuem 3D-Flash

Eine neue Architektur für Flash-Chips soll die Speicherdichte im Vergleich zu den aktuell verfügbaren Komponenten verdoppeln. Entwickelt wurde diese von den Partnern SanDisk und Toshiba. Ab dem kommenden Jahr sollen die neuen Chips in verschiedenen Geräten, vor allem aber in Smartphones, eingesetzt werden. Die einzelnen Chips bringen es auf eine Kapazität von 256 Gigabit, also 32 Gigabyte. In ihnen sind jeweils 48 Layer mit Speicherschaltkreisen in einer 3D-NAND-Architektur übereinander gestapelt. Die Herstellung erfolgt in der gemeinsam von den beiden Partnern gebauten und betriebenen Fabrik im japanischen Yokkaichi, in der ausschließlich 3D-NANDs gebaut werden sollen.


Erst im März hatte Toshiba seine ersten Chips mit 48 Layern vorgestellt, die es damals aber erst auf die Hälfte der Kapazität brachten. Betrachtet man die Geschwindigkeit, mit der nun die neue Architektur vorgestellt wurde, scheint sich die Kooperation durchaus auszuzahlen. Für die Partner ist es dabei auch notwendig, möglichst hochwertige Chips liefern zu können, um die Investitionen in das gemeinsame Werk schnell wieder hereinzubekommen. Dessen Aufbau hat alles in allem immerhin fast 5 Milliarden Dollar verschlungen.

Für die Produktion der neuen Flash-Komponenten setzten die Unternehmen einen Lithographie-Prozess für Strukturweiten von 15 Nanometern ein. Die neuen Chips sollen dabei die volle Bandbreite an Flash-Anwendungen bedienen und so als Speicher in Smartphones und Tablets dienen und auch als SSDs, Speicherkarten und USB-Sticks verkauft werden.

Zugrunde liegt dabei ein Triple-Cell-Modell (TLC), bei dem jeder Transistor drei Bit repräsentieren kann. Die bisherigen Architekturen verwenden zumeist Multi-Level-Cell (MLC)-Technologien, die es nur auf zwei Bit bringen. Damit dürfte Samsung, der bisher Marktführer bei 3D-NAND-Technologien ist, deutlich Gegenwind bekommen.