Neues Speicherchip-Design schlägt Flash deutlich

Forscher der Rice University haben einen neuen nichtflüchtigen Speicher-Chip entwickelt, der bei geringem Preis eine deutlich höhere Kapazität als herkömmlicher NAND-Flash bietet. Im Gegensatz zu den aktuell eingesetzten Architekturen wird der Silizium-Layer dabei nicht nur in der Fläche, sondern in einer 3D-Struktur gestaltet. So können die einzelnen Speicherzellen deutlich dichter gepackt werden - aktuell wird so etwa das Fünffache der gewohnten Kapazität erreicht.

Die Forscher müssen dabei keine zusätzlichen Materialien einsetzen, sondern arbeiten lediglich mit Silizium. Noch vor einiger Zeit nutzten sie 10 Nanometer große Graphit-Verbindungen, um die einzelnen Layer aneinander zu koppeln. Diese bereiteten aber lange Probleme.

Nun fand man heraus, dass der Kohlenstoff eigentlich unnötig ist. Das macht die neue Architektur deutlich stabiler. Die Verbindung der Layer erfolgt nun über 5 Nanometer dicke Nanokristalle, hieß es.

Als Isolator zwischen den einzelnen Layern kommt Silizium-Oxid zum Einsatz, was die Produktionskosten ebenfalls im Rahmen hält. Den Angaben zufolge wird man die Speicherdichte auf dem Chip durch den Einsatz zusätzlicher Layer wohl noch um das Doppelte bis Dreifache steigern können.