Samsung stellt neue EVO 990 Plus SSD vor:
50% schneller als Vorgänger

Samsung hat heute mit der 990 EVO Plus eine aktualisierte Ausgabe seiner vergleichsweise günstigen Performance-SSDs für den Einsatz in PCs und Spielkonsolen vorgestellt. Im Vergleich zur normalen Samsung SSD 990 EVO sind die neuen Modelle bis zu 50 Prozent schneller.
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Samsung

1-, 2- und 4-TB-Versionen geplant

Die neue Samsung 990 EVO Plus SSD gibt es noch im Herbst in Kapazitäten von einem, zwei oder vier Terabyte . Laut dem Hersteller kommt dabei die achte Generation von Samsungs hauseigener V-NAND-Technologie zum Einsatz. Durch die Anbindung per PCIe 4.0 und einen im 5-Nanometer-Maßstab gefertigten Controller soll die neue SSD bis zu 50 Prozent höhere Übertragungsraten erreichen.

Konkret verspricht Samsung bis zu 7250 Megabyte pro Sekunde beim sequenziellen Lesen und maximal 6300 MB/s beim Schreiben. Allerdings verzichtet Samsung bei der SSD 990 EVO Plus vollständig auf einen DRAM-Cache, was vor allem dabei hilft, die Kosten niedrig zu halten. Trotzdem soll die neue SSD-Serie eine optimale Performance liefern und dadurch auch für Spiele und KI-Aufgaben geeignet sein.
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In der 4-TB-Version soll die Samsung 990 EVO Plus SSD bis zu 1,05 Mio. IOPS bei Random-Read und 1,4 Mio. IOPS im Random-Write erreichen können, auch wenn kein DRAM-Cache vorhanden ist. Samsung nennt bisher keine europäischen Preise, doch anhand der Angaben für den US-Markt lässt sich bereits erkennen, dass die 990 EVO+ tatsächlich relativ günstig zu haben sein wird.

Für die 1-TB-Version gibt Samsung eine offizielle Preisempfehlung des Herstellers von 109,99 US-Dollar an. Bei der 2-TB-Ausgabe sollen es 184,99 Dollar sein, während die mit vier Terabyte größte Ausbaustufe mit 344,99 US-Dollar zu Buche schlagen wird. Die maximale Lebensdauer beim Schreiben gibt Samsung übrigens jeweils mit 600, 1200 und 2400 Terabyte für die 1-, 2- und 4-Terabyte-Varianten an.

Zusammenfassung
  • Samsung stellt die 990 EVO Plus SSD vor
  • Bis zu 50% schnellere Übertragungsraten
  • Verfügbar in 1, 2 und 4 TB Kapazitäten
  • Einsatz von 8. Gen V-NAND-Technologie
  • Kein DRAM-Cache zur Kostensenkung
  • Sequentielle Lesegeschwindigkeit bis 7250 MB/s
  • Schreibgeschwindigkeit bis zu 6300 MB/s

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