Samsung äußert sich endlich zu den neuen HBM4-Arbeitsspeichern
Der südkoreanische Konzern Samsung Electronics hat sich jetzt endlich zum kommenden Speicherstandard HBM4 geäußert. Nachdem es in der letzten Zeit diverse Gerüchte gab, stellte das Unternehmen nun klar, dass ab 2025 mit ersten Produkten gerechnet werden kann.
In der Zeit bis zur Verfügbarkeit des neuen Standards wird Samsung seinen Kunden noch die verbesserten HBM3E-Speicher anbieten, die mit einer Datenübertragungsrate von 9,8 GT/s arbeiten - das bedeutet, dass man dann eine Bandbreite von 1,25 TB/s pro Stack bietet.
"Es wird erwartet, dass HBM4 bis 2025 auf den Markt kommen wird, wobei Technologien in der Entwicklung sind, die für hohe thermische Eigenschaften optimiert sind, wie z. B. die nicht leitende Folienmontage (NCF) und das Hybrid-Kupfer-Bonden (HCB)", erklärte SangJoon Hwang, Leiter des DRAM-Produkt- und Technologieteams bei Samsung Electronics.
Hier sollten sich Interessenten aber darauf einstellen, dass man eine gesicherte Umrüstung auf die neue Speichertechnik eher im Jahr 2026 einplanen sollte. Denn es dürfte anfangs etwas dauern, bis die Produktion richtig anläuft und die neuen Produkte auch in ausreichenden Mengen am Markt verfügbar sind.
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Neue Technologien werden nötig
Der neue Arbeitsspeicher wird eine 2048-Bit-Schnittstelle pro Stack aufweisen, also das Doppelte des Vorgängers HBM3. Nutzer mit hohen Anforderungen werden sich allerdings nicht unbedingt bis zur Markteinführung der ersten HBM4-Module gedulden müssen, denn es ist zumindest noch ein Zwischenschritt geplant.In der Zeit bis zur Verfügbarkeit des neuen Standards wird Samsung seinen Kunden noch die verbesserten HBM3E-Speicher anbieten, die mit einer Datenübertragungsrate von 9,8 GT/s arbeiten - das bedeutet, dass man dann eine Bandbreite von 1,25 TB/s pro Stack bietet.
"Es wird erwartet, dass HBM4 bis 2025 auf den Markt kommen wird, wobei Technologien in der Entwicklung sind, die für hohe thermische Eigenschaften optimiert sind, wie z. B. die nicht leitende Folienmontage (NCF) und das Hybrid-Kupfer-Bonden (HCB)", erklärte SangJoon Hwang, Leiter des DRAM-Produkt- und Technologieteams bei Samsung Electronics.
Geduld ist gefragt
Für die Herstellung von HBM4-Modulen muss Samsung an einigen neuen Technologien feilen. Die erwähnte NCF ist eine Polymerschicht, die die Verbindungen zwischen den Silizium-Layern an den Lötstellen vor Isolierung und mechanischen Stößen schützt. Bei der anderen handelt es sich um HCB, eine Verbindungstechnologie, bei der ein Kupferleiter und ein Oxidfilm-Isolator verwendet werden, um den Abstand zwischen DRAM-Bauteilen zu minimieren und kleinere Bumps zu ermöglichen.Hier sollten sich Interessenten aber darauf einstellen, dass man eine gesicherte Umrüstung auf die neue Speichertechnik eher im Jahr 2026 einplanen sollte. Denn es dürfte anfangs etwas dauern, bis die Produktion richtig anläuft und die neuen Produkte auch in ausreichenden Mengen am Markt verfügbar sind.
Zusammenfassung
- Samsung äußert sich zu kommendem Speicherstandard HBM4
- Erste Produkte mit HBM4 ab 2025 erwartet
- HBM4 mit 2048-Bit-Schnittstelle pro Stack, doppelt so viel wie HBM3
- Verbesserter HBM3E-Speicher als Zwischenschritt
- HBM4-Technologie optimiert für hohe thermische Eigenschaften
- Neue Technologien für HBM4-Produktion
- Gesicherte Umrüstung auf HBM4 sollte eher für 2026 eingeplant werden.
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