LPDDR5: Samsung zeigt noch kleineren, extrem schnellen Mobile-RAM

Samsung, Arbeitsspeicher, DRAM, LPDDR5 Bildquelle: Samsung Samsung, Arbeitsspeicher, DRAM, LPDDR5 Bildquelle: Samsung
Der Arbeitsspeicher in Smartphones und Tablets wird noch deutlich dün­ner und leistungsfähiger. Samsung hat jetzt neue Modelle nach dem LP­DDR5-DRAM-Standard vorgestellt, die einen spürbaren Schritt nach vorn ein­leiten werden. Die neuen Chips mit einer Speicherkapazität von je 16 Gigabit werden nach Angaben des Unternehmens in einem 10-Nanometer-Verfahren produziert. Samsung setzt hierfür seine Extreme Ultraviolet (EUV)-Technologie ein, die sich bereits bei der Produktion von Prozessoren mit kleinen Strukturweiten bewährt hat. Im Vergleich zu den Vorgängermodellen kann der Hersteller die Chips dabei um rund 30 Prozent dünner fertigen, so dass noch kompaktere Hardware-Designs möglich werden.

Darüber hinaus steigt bei den neuen Arbeitsspeicher-Modulen auch die Leistung weiter an. Neben der höheren Kapazität bieten die LPDDR5-Komponenten auch eine Bandbreite von 6400 Megabit pro Sekunde. Bei einer typischen Konfiguration von acht Chips zu einem 16-Gigabyte-Modul ließen sich so über 50 Gigabyte pro Sekunde durch die Komponenten schleusen.


Kleine Chips aus großer Fabrik

Laut Samsung sollen die neuen Chips auch eine wesen­tliche Basis für Ge­räte bilden, die fit für kom­mende 5G-Anwen­dungen sind. Denn die neue Mobil­funk-Tech­nologie soll idealer­weise nicht nur dafür sorgen, dass Inhalte noch schneller beim Nutzer landen - hierfür wäre LTE eigentlich aus­rei­chend. Die deut­lich höheren Band­breiten sollen vielmehr auch Dienste möglich machen, die auf­grund ihres enormen Daten­hungers bisher noch gar nicht umsetzbar waren.

Die zunehmende Kompaktheit der Chips spiegelt sich übrigens nicht im Fabrik-Design wieder - im Gegenteil. Wie Samsung mitteilte, werden die neuen Mobile-Arbeitsspeicher in der Pyeong­taek Line 2 hergestellt. Diese ist mit einer Fertigungsfläche von 128.900 Qua­drat­me­tern - was rund 16 Fußballfeldern entspricht - die größte Halb­lei­ter-An­la­ge überhaupt.

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