Samsung stellt ersten Arbeitsspeicher-Riegel mit 512 Gigabyte vor

Samsung kann das erste Arbeitsspeicher-Modul liefern, das eine Kapa­zität von 512 Gigabyte auf einem Riegel bereitstellt. Dafür musste das Unternehmen gleich mehrere Technologien in einer neuen Art zusammen­führen. Um auf die enorm hohe Speicherkapazität zu kommen, setzt Samsung unter anderem auf Through Silicon Via (TSV), das bereits aus den 3D-NAND-Chips bekannt ist. Die Technologie ermöglicht es, mehrere übereinander gestapelte Silizium-Layer effizient miteinander zu verbinden. Samsung stapelt hier in den einzelnen Bauelementen jeweils acht 16Gb-DRAM-Dies. Nur so wird es überhaupt möglich, auf dem begrenzten Platz eines Speicherriegels auf die 512 Gigabyte zu kommen.

Bei der Fertigung der Schaltungen in den Chips an sich setzt Samsung auf die High-K Metal Gate (HKMG)-Technologie. Diese hilft enorm dabei, den Energiebedarf im Griff zu behalten. Die Effizienz wird nach Angaben des Herstellers um immerhin 13 Prozent verbessert. HKMG trägt außerdem zu einer signifikanten Reduzierung der Leckströme bei, wodurch die Isolator-Schichten dünner gehalten werden können.

Nicht für Privatkunden

Samsung war der erste Anbieter, der 2018 damit begonnen hatte, HKMG auch in Arbeitsspeicher-Chips einzusetzen. Damals brachte man GDDR6-Komponenten auf den Markt, bei denen man auf die Technologie setzte, die zuvor eigentlich nur bei logischen Chips wie Prozessoren zum Einsatz kam. Nun hat man das Verfahren also auch in die DDR5-Linie übernommen.

Das Arbeitsspeicher-Modul erreicht nach Angaben Samsungs Geschwindigkeiten von 7200Mbps. Angesichts dessen, dass es das erste Produkt dieser Art ist, besteht die Zielgruppe in erster Linie aus Kunden, die datenintensive Anwendungen im Supercomputing, der Datenanalyse oder im KI-Training auszuführen haben. Wann solche Module auch in den Einzelhandel kommen werden, wo sie jeder erwerben kann, ist derzeit noch nicht absehbar.

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