Samsung schickt neue Generation von 3D-Flash in Massenproduktion

Flash-Chips, bei denen mehrere Layer der Speicher-Architektur übereinandergestapelt werden, um höhere Speicherdichten zu erreichen, machen inzwischen schon den größten Teil der Fertigung aus. Meist wird hier aktuell noch mit 48 Schichten gearbeitet. Samsung erhöht nun auf 64 Layer und kann so 256-Gigabit-Komponenten mit kleinerer Grundfläche anbieten.

Samsung bezeichnet die neue Technik als vierte Generation seiner 3D- oder V-NAND-Produkte. Bis zum Jahresende sollen mehr als 50 Prozent der gesamten Fertigungskapazität auf die neuen Chips umgestellt worden sein. Das soll einerseits die immer weiter steigende Nachfrage nach Speicherkapazität besser befriedigen helfen und natürlich auch Samsungs führende Position in dem Markt festigen.

Die 3-bit-256Gb-V-NAND-Chips mit 64-Layern sollen dabei eine Datenübertragungsrate von bis zu einem Gigabit pro Sekunde erreichen und somit zu den schnellsten Massenspeichern gehören, die aktuell am Markt zu finden sind. Und auch die Page Program-Zeit habe man auf 500 Mikrosekunden reduzieren können, hieß es.


Interessant für die Entwickler von Geräten - insbesondere im Mobile-Bereich - wird der neue Chip aber nicht nur durch seine gestiegene Speicherdichte. Auch der Energiebedarf habe um weitere 30 Prozent reduziert werden können, teilte Samsung mit. Weiterhin habe man die Zuverlässigkeit der einzelnen Speicherzellen steigern können, wodurch die Lebensdauer des einzelnen Chips steigt.

Die Entwickler Samsungs haben in ihren Labors unterdessen bereits ein neues Ziel vor Augen: Die wollen Flash-Chips mit bis zu 90 Layern produzieren können und dadurch die Kapazität eines einzelnen Flash-Chips auf ein Terabit steigern.

Download Samsung Magician - SSD-Festplatten von Samsung optimieren