eUFS 3.0: Samsung verdoppelt Smartphone-Speicher-Geschwindigkeit

Samsung hat als erstes Unternehmen mit der Massenproduktion neuer Flash-Chips begonnen, die den eUFS 3.0 Spezifikationen entsprechen. Wie das Unternehmen betont, will man damit Speicherlösungen für Smartphones anbieten können, die beim Lesen und Schreiben rund doppelt so schnell wie die Vorgänger arbeiten.

Samsung beschleunigt die Speichervorgänge in Smartphones & Co weiter

Schon seit 2017 kann Samsung 512 GB Flash-Chips anbieten, die die sogenannten "embedded Universal Flash Storage (eUFS)"-Spezifikationen unterstützen. Jetzt will man nach eigenen Angaben aber als erstes Unternehmen der Welt mit der Massenproduktion einer neuen Generation dieser Flash-Chips begonnen haben, die die Leistungswerte der Vorgänger deutlich übertrumpfen und damit in zukünftigen Smartphone-Modellen für die nötige Speicherleistung sorgen sollen. eUFS-3.0-Flash im Vergleich Wie Engadget in seinem Bericht schreibt, hatten die 2017 veröffentlichten Chips beim sequenziellen Lesen Werte von 860 MB/s erreicht, beim Schreiben waren bis zu 255 MB/s möglich. Bei den neuen Chips sorgt eine Unterstützung der eUFS-3.0-Spezifikationen für eine Lesegeschwindigkeit von bis zu 2100 MB/s, beim Schreiben von Daten können bis zu 410 MB/s erreicht werden. Ein Blick auf die Spezifikationen der erst im Januar vorgestellten UFS-2.1-Chips zeigt, dass auch diese nur rund die Hälfte dieser Geschwindigkeitswerte erreichen können.

Schneller als SSD und microSD-Karte

Im Hinblick auf die Ankündigungen von microSD-Karten Herstellern beim MWC 2019, bald die Lese- und Schreibgeschwindigkeit von integriertem Speicher übertreffen zu können, lässt es sich Samsung dann auch nicht nehmen zu betonen, wie man mit den neuen Chips im Vergleich mit anderen Speichermedien abschneidet. So könne man "typische microSD-Karten" um das Zwanzigfache übertreffen, im Vergleich mit SATA-SSDs will man immerhin noch viermal so schnell sein. Samsung sieht das Anwendungsfeld für die Speicher in "zukünftigen Smartphones mit sehr großen, hochauflösenden Displays".

Laut der offiziellen Mitteilung des Konzerns konzentriert man sich zum Start der Produktion auf eUFS-3.0-Chips mit 512 GB und 128 GB Kapazität. In der zweiten Hälfte des Jahres ist damit zu rechnen, dass das Unternehmen auch 256-GB- und sogar 1-TB-Varianten anbieten kann. Samsung, Speicher, Flash, eUFS, Flashspeicher, eUFS 3.0 Samsung