Flash: Umstieg auf neue 3D-NAND-Designs erfolgt rasend schnell

Die neueren 3D-NAND-Architekturen bieten gegenüber dem klassischen flächigen Flash-Chip so große Vorteile, dass die Halbleiter-Produzenten im Vergleich extrem schnell ihre Produktion umbauen. Bereits im kommenden Jahr wird das neuere Design die Oberhand bekommen. In den 3D-NAND-Speicherbausteinen sind mehrere Schichten Flash-Speicher übereinander gestapelt und an mehreren Punkten über Durchbrüche miteinander verbunden. Im Vergleich zum klassischen Chip, bei dem nur ein Layer eingebettet ist, bietet das Vorteile in Sachen Performance und Speicherdichte. Die Kosten der Produktion pro Gigabyte sind außerdem geringer. Entsprechend groß ist natürlich das Interesse an den Komponenten.

Laut einem aktuellen Bericht der Marktforscher von DRAMeXchange macht 3D-NAND so zum Ende dieses Jahres bereits rund 30 Prozent der gesamten Fertigungsmenge von Flash-Speicherkapazität aus, nachdem die Hersteller die Entwicklung der benötigten Fertigungsprozesse im Frühjahr ordentlich beschleunigt hatten.

Engpässe bei 2D-Flash möglich

Die Marktforscher rechnen nun damit, dass der Anteil von 2D-Flash bereits im dritten Quartal des kommenden Jahres unter die Marke von 50 Prozent fallen wird. Damit würde 3D-NAND dann die vorherrschende Stellung in dem Markt einnehmen. Das geht damit einher, dass die Halbleiter-Hersteller die Menge der zu Flash-Chips weiterverarbeiteten Wafer im Jahresvergleich um rund 6 Prozent ausbauen werden.

Die schnelle Reaktion der Produzenten, mit der diese ihre jeweilige Position im Markt behaupten wollen, kann aber auch zu kleineren Problemen führen. Denn in verschiedenen Bereichen hat 2D-Flash weiterhin seine Existenzberechtigung - insbesondere wenn es um Anwendungen geht, bei denen nicht besonders viel Speicherplatz benötigt wird und stattdessen die Chips selbst möglichst wenig komplex und preiswert sein sollen. Hier könnte es durch den schnellen Umbau der Fertigungskapazitäten zu Engpässen kommen, hieß es.