Qualcomm stellt neues mobiles Flaggschiff-Chipset Snapdragon 835 vor

Der US-Halbleiter-Riese Qualcomm hat heute gemeinsam mit seinem langjährigen Partner Samsung den Nachfolger der Snapdragon 821-Chips vorgestellt. Der neue Flaggschiff-Prozessor wird Snapdragon 835 (nicht 830, wie ursprünglich gedacht) heißen und dürfte erstmals bei Samsungs kommender Galaxy S8-Serie zum Einsatz kommen. Bei einer gemeinsamen Pressekonferenz ließen nun Samsung und Qualcomm die Katze aus dem Sack. Zuvor gab es nur Gerüchte, die von Samsungs Ankündigung im vergangenen Monat angeheizt wurden. Die Koreaner hatten nämlich bereits angekündigt, dass die nächste Prozessor-Generation für ihre Flaggschiff-Smartphones im 10-Nanometer-FinFET-Verfahren gefertigt werden sollen. Nun steht fest, dass Qualcomm den neuen mobilen Hochleistungs-Prozessor entwickelt hat. Die Produktion läuft dabei bereits auf Hochtouren, wie beide Unternehmen heute berichteten. Keith Kressin von Qualcomm und Ben Suh von Samsung präsentierten heute den neuen 10nm-Dnapdragon-835-Prozessor. Foto: Qualcomm

Geplant für Galaxy S8 / S8 Edge Serie

Viele Details über den Snapdragon 821-Nachfolger hat der Chiphersteller Qualcomm allerdings noch nicht verraten. Wahrscheinlich behält sich Samsung das Recht vor. Es gilt als sicher, dass der neue 835er-Chip in der für Anfang 2017 erwarteten Galaxy S8 / S8 Edge Serie verbaut sein wird. Schon den Snapdragon 820 hatte Samsung für bestimmte Märkte beim S7 und S7 Edge eingesetzt.

Der neue Chipsatz wird im 10-Nanometer-FinFET-Verfahren hergestellt. Im Gegensatz zum 14- Nanometer-Design werden so bis zu ein Drittel der benötigten Fläche eingespart. Zudem bringt der neue Chipsatz laut Qualcomm durch die gesteigerte Effizienz des Verfahrens einen um bis zu 40 Prozent gesenkten Energieverbrauch und eine um bis zu 27 Prozent verbesserte Performance. Näheres zur Leistung gab es noch nicht zu erfahren.

Schnellladung verbessert, Quick Charge 4.0

Als weitere Neuerung hat Qualcomm aber heute noch gleich den neuen Quick Charge 4.0-Standard vorgestellt. Der Snapdragon 835 wird Quick Charge 4.0 bereits unterstützen. Das Schnellladeverfahren wird in Version 4.0 nun ein Smartphone in fünf Minuten auf 50 Prozent aufladen können. Als Maßstab gilt dabei ein Akku mit 2.750 Milliamperestunden und eine Raumtemperatur von unter 40 Grad Celsius. Der neue Standard ist damit im Verhältnis gesehen noch einmal bedeutend schneller geworden. Rund 20 Prozent im Vergleich zur Vorgängerversion rechnet Qualcomm: Bislang gab der Konzern bei Quick Charge 3.0 eine Ladung von 70 Prozent nach 30 Minuten an.

Noch etwas verriet Qualcomm über Quick Charge 4.0: Die Ladung wird über einen USB-C-Anschluss realisiert.