Samsung fährt Massenproduktion von 4Gbit-DDR3 an

Der südkoreanische Elektronikkonzern Samsung hat mit der Massenproduktion neuer DDR3-Module begonnen. Diese werden nun in einem 20-Nanometer-Verfahren gefertigt und sollen mehr Leistung bringen als die Vorgänger. Die Arbeitsspeicher-Chips bieten dabei eine Kapazität von jeweils 4 Gigabit. Die Verkleinerung der Strukturen brachte dabei einige Herausforderungen mit sich, da bei DRAM jede Zelle aus einem Kondensator und einem mit diesem verbundenen Transistor besteht. Die Skalierung ist hier schwieriger als bei NAND-Flash-Speicher, bei dem eine Zelle nur einen Transistor benötigt.

Samsung hatte aber Erfolg, als die Fertigungstechnologien überarbeitet und ein modifiziertes Verfahren, welches aus Doppelstrukturierung (Double Patterning) und Atomlagenabscheidung (Atomic Layer Deposition oder ALD) besteht, eingesetzt wurde. Bei der Doppelstrukturierung können die DDR3-Chips mit herkömmlichen Fotolitografie-Geräten bearbeitet werden. Das Verfahren soll das Potenzial zu weiteren Verkleinerungen auf bis zu 10 Nanometer bieten.

Durch die Verkleinerung der Strukturweite konnte Samsung auch die Menge der Chips, die aus einem Wafer geschnitten werden, steigern. Diese liegt nun 30 Prozent höher als bei den bisherigen 25-Nanometer-Verfahren. Darüber hinaus lassen sich mit den neuen 4-Gigabit-DDR3-Modulen im Betrieb bis zu 25 Prozent Energie gegenüber der Vorgänger-Technologie einsparen, so der Hersteller. Samsung, Arbeitsspeicher, DRAM Samsung