Samsung fährt Massenproduktion von 4Gbit-DDR3 an
Samsung hatte aber Erfolg, als die Fertigungstechnologien überarbeitet und ein modifiziertes Verfahren, welches aus Doppelstrukturierung (Double Patterning) und Atomlagenabscheidung (Atomic Layer Deposition oder ALD) besteht, eingesetzt wurde. Bei der Doppelstrukturierung können die DDR3-Chips mit herkömmlichen Fotolitografie-Geräten bearbeitet werden. Das Verfahren soll das Potenzial zu weiteren Verkleinerungen auf bis zu 10 Nanometer bieten.
Durch die Verkleinerung der Strukturweite konnte Samsung auch die Menge der Chips, die aus einem Wafer geschnitten werden, steigern. Diese liegt nun 30 Prozent höher als bei den bisherigen 25-Nanometer-Verfahren. Darüber hinaus lassen sich mit den neuen 4-Gigabit-DDR3-Modulen im Betrieb bis zu 25 Prozent Energie gegenüber der Vorgänger-Technologie einsparen, so der Hersteller.
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Christian Kahle
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