Für 4GB RAM: Samsung stellt 8-Gb-LPDDR4-Chips vor

Derzeit sind zwei Gigabyte Arbeitsspeicher der Standard bei Mobilgeräten, das Samsung Galaxy Note 3 hat mit drei Gigabyte den derzeit maximal möglichen RAM-Wert. Das koreanische Unternehmen hat nun einen Chip vorgestellt, der bald 4 GB RAM ermöglichen dürfte. Das koreanische Unternehmen hat in seinem Blog Samsung Tomorrow Global (via Engadget) bekannt gegeben, dass man den Industrie-weit ersten 8-Gigabit-LPDDR4-Chip (Low-Power Double-Data-Rate 4) entwickelt hat.

Die nun vorgestellte DRAM-Komponente bietet ein Gigabyte auf einem einzigen so genannten "Die" ("Nacktchip"), zu verdanken hat man dies dem Fertigungsverfahren der 20-Nanometer-Klasse - also irgendwo zwischen 20nm und 30nm. Laut Samsung stelle dies die derzeit höchste bei DRAM-Komponenten mögliche Dichte dar.

Samsung schreibt weiter, dass das LPDDR4-Interface eine um 50 Prozent höhere Performance als alle anderen derzeit gängigen LPDDR3- oder DDR3-Speicher biete, zusätzlich dazu bzw. gleichzeitig sei der Energieverbrauch (bei 1,1 Volt) um 40 Prozentpunkte niedriger. Dank Schichtbauweise lassen sich diese Komponenten zu mobilen RAMs mit vier Gigabyte zusammenfügen, die Masseproduktion des Next-Generation-Arbeitsspeichers soll im Verlauf des nächsten Jahres beginnen.

Samsung hat sich auch schon Gedanken gemacht, wo die 4-GB-Einheiten zum Einsatz kommen sollen: Und zwar will man damit den "Premium-Mobilmarkt" erreichen. Dabei handelt es sich um Ultra-High-Definition-Geräte mit großen Bildschirmen, dazu zählen nach Angaben des Unternehmens aus Korea Smartphones, Tablets und Laptops. Auf welche Auflösung Samsung künftig tatsächlich setzen will, ist bisher nicht ganz klar, im November hatte das Unternehmen 1440p angedeutet (bei 16:9 beträgt die Auflösung also 2560 x 1440 Pixel).

Siehe auch: Bericht - Samsung Exynos S und Exynos 6 in Kürze