Samsung stockt Flash-Produktionskapazität auf

Der südkoreanische Elektronikkonzern Samsung hat heute mit dem ersten Spatenstich den Bau einer neuen Speicherproduktionsstätte im chinesischen Xi'an begonnen. Die Basisinvestition beträgt dabei erst einmal 2,3 Milliarden Dollar und soll später aufgestockt werden. Nach der Fertigstellung werden im neuen Samsung-Werk NAND-Flash-Memory-Chips in der 10-Nanometer-Class-Technologie produziert. Die Strukturweiten gehen hier also unter die Marke von 20 Nanometern. Somit soll die Produktionsstätte zukünftig dazu beitragen, den wachsenden Bedarf an entsprechenden Chips bei mobilen Geräten zu decken.

Der Samsung China Semiconductor Komplex soll planmäßig 2014 das volle Produktionsvolumen erreichen. Das Werk stellt die größte Investition von Samsung in China dar. Diese soll später stufenweise auf eine Gesamtinvestition von rund 7 Milliarden Dollar ausgeweitet werden, teilte das Unternehmen mit.

Als Hauptstadt mehrerer Dynastien in über 1.000 Jahren befindet sich Xi'an heute im Zentrum einer Elektroniktechnologie-Region. "Die Industrielandschaft wird allen wichtigen Belangen zur Produktion modernster IT-Infrastruktur gerecht", begründete Samsung die Wahl des Standortes. Dazu zählen Basisressourcen wie Wasser und elektrische Energie sowie eine solide Mitarbeiterbasis für die Bereiche Forschung, Entwicklung und Fertigung.

Die Region Xi'an beheimatet immerhin 37 Universitäten und 3.000 Forschungszentren mit Schwerpunkt auf IT-Technologien. Samsung hat auch ein Programm für die enge akademische Zusammenarbeit mit mehreren renommierten lokalen Universitäten gestartet. Dieses beinhaltet Stipendien für besonders begabte Studenten vor Ort.

Nur ein Jahr nach Aufnahme des Betriebs in seiner Line 16 in Hwaseong, Korea, soll die neue Produktionsstätte in Xi'an Samsung helfen, sein globales Produktionsnetz gleichmäßig auszulasten. Außerdem, so hofft man, werde die Ansiedlung einigen Kunden von Samsung die Expansion in der Region erleichtern.