Toshiba entwickelt Technik für 16nm-Transistoren

Der japanische Elektronikkonzern Toshiba hat die Technologie zur Herstellung von Transistoren mit einer Strukturweite von 16 Nanometern entwickelt. Das geht aus einer Mitteilung des Unternehmens hervor. Dabei gelang es den Entwicklern des Konzerns, einige Hürden zu überwinden, die einen Einsatz solch kleiner Transistoren in Chips heute noch verhindern. So wurde beispielsweise der Widerstand um rund 75 Prozent reduziert, wodurch ein zu starkes Erhitzen der dünnen Leiter und das Auftreten von Leckströmen verringert werden.

Den wesentlichen Unterschied macht dabei eine Optimierung der Gate-Struktur. Außerdem haben die Entwickler die Dicke der Gate-Seitenwände von 30 Nanometern auf 10 Nanometern verringert. Hinzu kommt die Verwendung einer verbesserten Silizium-Struktur.

Der Standard in der Chipfertigung liegt derzeit bei 32 Nanometern. Der Umstieg auf 22-Nanometer-Bauweisen läuft aktuell in den ersten Bereichen an. Die Verkleinerung der Strukturen ermöglicht es, mehr Transistoren auf einem Chip unterzubringen. Außerdem sinken Wärmeentwicklung und Stromverbrauch. Die Handhabung immer kleinerer Strukturen wird aber immer komplizierter.