Flash: Samsung stößt in 10-Nanometer-Bereich vor

Der südkoreanische Elektronikkonzern Samsung hat eine neue Generation von Flash-Speicherchips angekündigt. Diese sollen nach Angaben des Unternehmens nun in einer 10-Nanometer-Produktionsmethode gefertigt werden. Die neuen Chips sollen die Entwicklung von noch kompakteren Smartphones und Tablets bei einem steigenden Angebot an Speicherplatz ermöglichen. Die einzelnen Bausteine kommen dabei mit einer Speicherkapazität von jeweils 64 Gigabit daher. Diese werden dann zu der neuen eMMC Pro Class 2000-Baureihe zusammengefasst, die aktuell mit 64 Gigabyte Speicherplatz ausgeliefert werden soll. eMMC Pro Class 2000 Dabei sollen die Performance-Werte der letzten Flash-Generation mit eMMC 4.5-Schnittstelle um etwa 30 Prozent übertroffen werden. Die Veränderungen an den Spezifikationen will Samsung im Laufe des kommenden Jahres bei den zuständigen Standardisierungsgremien einreichen und so industrieweit verfügbar machen.

Durch die Verkleinerung der Architektur kann nun abzüglich der naturgemäß erst einmal steigenden Fehlerquote gegenüber der vorherigen Generation, die mit 20-Nanometer-Prozessen gefertigt wurden, ein um 30 Prozent gesteigerter Ausstoß erreicht werden. Angesichts des weiterhin steigenden Bedarfs an Flash-Komponenten ist dies ein wichtiger Schritt, um die Nachfrage weiterhin befriedigen zu können. Nachdem die Massenproduktion inzwischen aufgenommen wurde, wird nach und nach wohl weniger Ausschuss anfallen, so dass hier mit weiter steigenden Werten zu rechnen ist.

Die Größe der Speicherchips konnte durch den Wechsel auf die kleinere Architektur außerdem um 20 Prozent reduziert werden. Ein Chip mit 64 Gigabyte Kapazität kommt nun inklusive des Packagings auf 11,5 x 13 Millimeter. Dabei wird beim Schreiben eine Geschwindigkeit von 50 Megabyte bei 2.000 IO-Operationen pro Sekunde erreicht. Das Lesen von Daten erfolgt mit bis zu 260 Megabyte und 5.000 IO-Operationen pro Sekunde, so der Hersteller.