Intel und Micron kündigen 128-Gbit-Flash-Chips an

Die beiden Chiphersteller Intel und Micron haben ihre nächste Generation an Flash-Chips angekündigt. Deren Grundlage bildet die Umstellung der Produktion auf 20-Nanometer-Architekturen, teilten die Unternehmen, die in dem Bereich zusammenarbeiten, mit. Die neue Prozesstechnologie soll ab sofort für die Aufnahme der Massenproduktion von Speicherchips mit einer Kapazität von 64 Gigabit eingesetzt werden. Noch in der ersten Hälfte wollen die Anbieter dann die ersten sein, die auf 128-Gigabit-Chips liefern können. Dies dürfte dann zügig dafür sorgen, dass Flash-Speicher auch mit höheren Kapazitäten erschwinglich wird.

Die von IM Flash Technologies (IMFT), dem Flash-Joint Venture von Intel und Micron, entwickelten Chips sind mit einer Multilevel-Architektur ausgestattet. Eine neu eingeführte Zellenstruktur soll außerdem Skalierungsbeschränkungen in NAND-Chips beseitigen. Eine wesentliche Grundlage dafür bildet der Einsatz von Intels HKMG-Gate-Stack-Transistoren, die schon länger in Prozessoren verwendet werden und nun erstmals in ein Speicherprodukt einfließen.

Ziel sei es, die jetzt startende 64-Gigabit-Produktion im kommenden Jahr schnellstmöglich auf 128-Gigabit umzustellen. Erste Muster mit höheren Speicherkapazitäten wollen die Partner im Januar an interessierte Kunden ausliefern können. Es kann also damit gerechnet werden, dass dem schnell wachsenden Speicherplatzbedarf in mobilen Endgeräten bald mit neuen Flash-Bausteinen begegnet werden kann, ohne dass mehr Platz in den Geräten benötigt wird.