Samsung setzt Termin für Start der 2-Nanometer-Produktion von Chips
Das Verfahren gilt in der Industrie quasi als der Standard für die kommenden Chip-Generationen. Auch IBM und TSMC haben bereits verlautbart, dass sie mit dieser Technologie arbeiten wollen. Die Bezeichnung leitet sich aus der Tatsache ab, dass die Transistor-Channels durch die Gate-Fin laufen und somit von dessen Material umgeben werden, was den Platzbedarf noch einmal deutlich senkt.
Hohe Investitionen kommen
Samsung setzt die GAA-Verfahren in den Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET)-Prozessen ein, mit denen die erste Generation der 3-Nanometer-Chips hergestellt werden sollen. Diese bieten laut dem Unternehmen im Vergleich zum 5-Nanometer-Verfahren mehrere Vorteile: Es werden 35 Prozent kleinere Chips bei gleicher Transistorzahl herauskommen, die mit 30 Prozent höherer Performance und 50 Prozent geringerem Energiebedarf arbeiten.Unterdessen musste die Roadmap hinsichtlich des 3-Nanometer-Prozesses noch etwas angepasst werden. Hier wird Samsung doch nicht mehr in diesem Jahr mit den ersten Chargen aufwarten können. Stattdessen will man im ersten Halbjahr 2022 so weit sein. Im darauffolgenden Jahr soll außerdem eine verbesserte Fassung an den Start gehen.
Im Zuge dessen bekräftigte Samsung auch noch einmal, dass erhebliche Investitionen in die Fertigungsanlagen getätigt werden. Damit will man die Foundry-Kapazitäten deutlich ausbauen und hofft vor allem zahlreiche Kunden zu gewinnen, die zur Vermeidung geopolitischer Probleme lieber nicht in China produzieren lassen wollen.
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