Samsung bringt endlich erste MRAM-Chips in die Massenproduktion
Der Elektronikkonzern Samsung bringt jetzt erste kommerzielle Umsetzungen der eMRAM-Technologie in die Massenproduktion. Wie das Unternehmen mitteilte, würden die ersten neuen Chips dieser Bauweise, die die Vorteile von Flash und RAM kombiniert, in den 28-Nanometer-Anlagen hergestellt.
MRAM steht für Magnetic Random Access Memory und beschreibt eine Architektur, die quasi einen nichtflüchtigen Arbeitsspeicher darstellt. Die Performance ist mit DRAM vergleichbar und wenn der Strom abgeschaltet wird, bleiben alle Informationen erhalten. Damit ist die Technologie quasi ein Konkurrent des von Intel entwickelten 3D-Xpoint. Das Ziel beider Ansätze besteht darin, dass eines Tages die Trennung von Fest- und Arbeitsspeicher hinfällig wird.
Allerdings ist es bis dahin noch ein weiter Weg. Samsung konstruiert auf Grundlage der MRAM-Technologie auch erst einmal nur Chips, die für den Einsatz im Embedded-Bereich gedacht sind und hier beispielsweise in Form von Controllern oder auch in Systemen, in denen es eher um Kompaktheit als um hohe Kapazitäten geht, zum Einsatz kommen.
Samsung verspricht letztlich, dass die eMRAM-Module eine um bis zum tausendfachen gesteigerte Performance im Vergleich zu den gewöhnlichen Embedded-Flash-Komponenten mitbringen. Weiterhin sei die Energieeffizienz deutlich besser, was bei kompakten Geräten besonders auch wegen der zu erwartenden Wärmeentwicklung von Bedeutung ist. Wann die MRAM-Technologie auch in das normale Computing Einzug halten wird, ist aktuell noch nicht klar.
Siehe auch: MRAM: Nichtflüchtiger DRAM-Ersatz entwickelt sich rasant weiter
Allerdings ist es bis dahin noch ein weiter Weg. Samsung konstruiert auf Grundlage der MRAM-Technologie auch erst einmal nur Chips, die für den Einsatz im Embedded-Bereich gedacht sind und hier beispielsweise in Form von Controllern oder auch in Systemen, in denen es eher um Kompaktheit als um hohe Kapazitäten geht, zum Einsatz kommen.
Viele Vorteile zu Flash
Bei der Produktion greift Samsung auf das Fully-Depleted Silicon-On-Insulator (FD-SOI)-Verfahren zurück, bei dem eine zusätzliche Isolationsschicht auf dem Silizium-Substrat dabei helfen soll, Leckströme zu minimieren. Dadurch wird eine bessere Kontrolle über die einzelnen Schaltungen möglich, was bei einem Speicher vor allem aus Gründen der Datenstabilität notwendig ist.Samsung verspricht letztlich, dass die eMRAM-Module eine um bis zum tausendfachen gesteigerte Performance im Vergleich zu den gewöhnlichen Embedded-Flash-Komponenten mitbringen. Weiterhin sei die Energieeffizienz deutlich besser, was bei kompakten Geräten besonders auch wegen der zu erwartenden Wärmeentwicklung von Bedeutung ist. Wann die MRAM-Technologie auch in das normale Computing Einzug halten wird, ist aktuell noch nicht klar.
Siehe auch: MRAM: Nichtflüchtiger DRAM-Ersatz entwickelt sich rasant weiter
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