Intel will ohne Micron Stärke zeigen:
Neue Flash-Generation kommt
Der Chiphersteller Intel gibt sich alle Mühe, zumindest im Speicher-Geschäft keine Schwäche zu zeigen. Nach der Trennung vom langjährigen Partner Micron will das Unternehmen nun zügig die nächste Generation von 3D-NAND-Chips bereitstellen.
Bereits im kommenden Jahr will Intel NAND-Chips liefern, mit denen die vierte Generation der eigenen Architektur eingeleitet wird. Die Speichermodule sind dabei eine Weiterentwicklung der aktuellen 3. Generation, die noch in Zusammenarbeit mit Micron entstanden ist und erst in diesem Jahr auf den Markt kam. Die eilige Neuerung dürfte auch als Demonstration der eigenen Fähigkeiten Intels dienen. Immerhin ist die Frage, ob der Konzern auf dem eher fremden Terrain der Speichertechnologien aus eigener Kraft Großes schaffen kann, noch nicht geklärt.
Die nun angekündigte 4. Generation soll auf einen Stapel von 144 Layern kommen. Der Vorgänger hatte immerhin auch schon 96 Layer in sich vereint. Weithin hat Intel vor, in der kommenden Architektur 5 Bit pro Zelle zu nutzen. Man darf hier gespannt sein, wie Intel die Architektur insgesamt umsetzt: In der dritten Generation hatte man schon nicht alle Layer nativ übereinandergesetzt, sondern zwei einzelne Dies mit 48 Schichten miteinander kombiniert. Das sorgt letztlich zwar für ordentlich Kapazität, die Performance-Vorteile, die die Schichtung ebenfalls mit sich bringt, lassen sich so nur recht bedingt nutzen.
Trotzdem will man hier ebenfalls weiter vorankommen. Vor allem natürlich mit der nächsten Generation der 3D Xpoint-Chips, über die Intel bisher noch keine weitergehenden Informationen preisgeben wollte. Spannend dürfte hier werden, ob neben technischen Weiterentwicklungen auch die Fertigungsprozesse vorankommen, damit die Technik langsam günstiger wird. Bei der Produktion wird Intel aber wohl am ehemaligen Partner Micron erst einmal nicht vorbeikommen.
Download Intel Extreme Tuning Utility (Intel XTU)
Die nun angekündigte 4. Generation soll auf einen Stapel von 144 Layern kommen. Der Vorgänger hatte immerhin auch schon 96 Layer in sich vereint. Weithin hat Intel vor, in der kommenden Architektur 5 Bit pro Zelle zu nutzen. Man darf hier gespannt sein, wie Intel die Architektur insgesamt umsetzt: In der dritten Generation hatte man schon nicht alle Layer nativ übereinandergesetzt, sondern zwei einzelne Dies mit 48 Schichten miteinander kombiniert. Das sorgt letztlich zwar für ordentlich Kapazität, die Performance-Vorteile, die die Schichtung ebenfalls mit sich bringt, lassen sich so nur recht bedingt nutzen.
3D Xpoint vor 2. Generation
Wo die Trennung von Micron deutlich mehr Probleme macht als bei Flash-Speichern, ist die 3D XPoint-Technologie, die zukünftig in der Lage sein soll, sowohl Flash-Speicher als auch DRAM in einem einzelnen, extrem schnellen und nicht flüchtigem Speicher zusammenzubringen. Intel entwickelt die Technologie in Rio Rancho, verfügt dort allerdings nicht über größere Produktions-Kapazitäten. Und auch sonst sind eigene Werke nicht dafür ausgelegt, mit der Technik zu arbeiten.Trotzdem will man hier ebenfalls weiter vorankommen. Vor allem natürlich mit der nächsten Generation der 3D Xpoint-Chips, über die Intel bisher noch keine weitergehenden Informationen preisgeben wollte. Spannend dürfte hier werden, ob neben technischen Weiterentwicklungen auch die Fertigungsprozesse vorankommen, damit die Technik langsam günstiger wird. Bei der Produktion wird Intel aber wohl am ehemaligen Partner Micron erst einmal nicht vorbeikommen.
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