UMC: Durchbruch bei Produktion von 28nm-Chips

Der Chiphersteller UMC hat einen Durchbruch bei der Produktion von Arbeitsspeichern erzielt. Als erstem Auftragsfertiger gelang ihm der Schritt zu funktionsfähigen 28-Nanometer-Strukturen. Die Architektur kam in einem SRAM-Chip zum Einsatz. Die Basis für das verkleinerte Design bildete eine neue Low-Leakage-Prozesstechnologie, die von UMC selbst entwickelt wurde. Diese reduziert nach Angaben des Unternehmens die bei solch kleinen Strukturbreiten auftretenden Leckströme.

Bei der Fertigung setzt UMC auf Double-Patterning-Immersion-Lithographie und gestrecktes Silizium. Eine Speicherzelle der neuen SRAMs besteht aus sechs Transistoren, die auf einer Fläche von 0,122 Quadratmikrometern angeordnet sind.

UMC will die Technologie in den kommenden Monaten für den Einsatz in zusätzlichen Halbleiter-Anwendungen weiterentwickeln. Dabei verfolgt man im Wesentlichen zwei Richtungen: So sollen durch den Einsatz einer Siliziumoxinitrid-Technologie Chips entstehen, die wegen ihres sehr geringen Energiebedarfs für mobile Geräte geeignet sind.

Der zweite Schwerpunkt liegt auf dem Einsatz von High-k-Materialien. Daraus sollen Fertigungsprozesse für Schaltkreise hervorgehen, die mit sehr hohen Geschwindigkeiten arbeiten. Dazu gehören unter anderem Grafikprozessoren oder Kommunikations-Chips für Netzwerksysteme.