Galaxy S26: Edge-Version mit Performance-Rekord in Benchmark-Leak

Ein neuer Geekbench-Leak liefert erste Informationen zum nächsten Top-SoC des US-Herstellers Qualcomm und dem kommenden Samsung Galaxy S26 "Edge". Der Chip wird demnach mit enormer Leistung aufwarten und so schnell laufen wie noch nie.
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Galaxy S26 mit Snapdragon 8 Elite Gen 2 im Test

Der Qualcomm Snapdragon 8 Elite Gen 2, dessen interne Modellnummer SM8850 lautet, wurde jüngst erstmals in der Datenbank der Performance-Mess-Software Geekbench entdeckt. Konkret handelt es sich um einen Eintrag, der Testergebnisse für ein Gerät liefert, das mit einem neuen Top-Smartphone aus der Galaxy S26-Serie ermittelt wurden.

Laut SamMobile listet Geekbench seit Kurzem ein Gerät mit der Typbezeichnung "SM-S947U", bei dem es sich nach aktuellem Kenntnisstand um das Galaxy S26 Edge handeln könnte. Dieses Gerät soll wahrscheinlich die Nachfolge des besonders dünnen Galaxy S25 Edge antreten, das Samsung vor einigen Monaten als viertes Mitglied seiner Serie von Top-Smartphones auf den Markt gebracht hat.


Snapdragon 8 Elite Gen 2 'for Galaxy' mit 4,74 GHz

Im Galaxy S26 Edge arbeitet der Chip laut dem Geekbench-Listing in der "for Galaxy"-Variante mit einer auf 4,74 Gigahertz erhöhten maximalen Taktung. Konkret sollen zwei absolute High-End-Cores im Einsatz sein, während auch noch sechs weitere "Oryon V3"-Cores mit maximal 3,63 Gigahertz als Teil der CPU ihren Dienst tun. Außerdem ist eine als "Adreno 840" bezeichnete Grafikeinheit integriert.

In dem Test, bei dem das mutmaßliche Samsung Galaxy S26 Edge mit 12 Gigabyte Arbeitsspeicher in Form eines Vorserienmodells getestet wurde, erzielte der Snapdragon 8 Elite 2 eine Single-Core-Score von ganzen 3.393 Gummipunkten, während der Multi-Core-Score mit 11.515 Punkten angegeben wird. Damit wäre der Chip bisher zumindest leistungsstärker als der Apple A18 Pro im iPhone 16 Pro Max und schlägt seinen Vorgänger deutlich.

Laut dem Benchmark-Listing gilt bezüglich der Performance in dem Prototyp des Galaxy S26 Edge allerdings eine Einschränkung, denn angeblich lief der neue Qualcomm-Prozessor in dem Test nicht mit voller Geschwindigkeit. Statt der maximalen Taktrate von 4,74 GHz wurden nur 4,0 GHz erreicht, was möglicherweise daran liegt, dass es sich um einen frühen Test handelt, bei dem nicht die volle Leistung ausgeschöpft wurde.

Das Samsung Galaxy S26 Edge soll wahrscheinlich wieder im Januar 2026 Einzug halten und wird nach bisherigem Kenntnisstand unter anderem ein 6,7-Zoll-OLED-Display, eine 12-Megapixel-Kamera für Selbstporträts, eine Hauptkamera mit 200 Megapixeln und eine Ultraweitwinkel-Kamera mit 50 Megapixeln bieten. Außerdem war zuletzt von einem auf 4.200mAh wachsenden Akku zu hören, der dank modernerer Akkutechnik trotzdem in einem noch dünneren Gehäuse verbaut werden soll.
Zusammenfassung
  • Geekbench-Leak enthüllt Snapdragon 8 Elite Gen 2 im Samsung S26 Edge
  • Neuer Qualcomm-Chip mit zwei High-End-Cores und sechs Oryon V3-Cores
  • Maximale Taktrate von 4,74 GHz bei der speziellen 'for Galaxy'-Variante
  • Beeindruckende Benchmark-Werte: 3393 Punkte Single-Core, 11515 Multi-Core
  • Das Testgerät lief nicht mit voller Geschwindigkeit, nur mit 4,0 statt 4,74 GHz
  • Galaxy S26 Edge voraussichtlich mit 6,7-Zoll-OLED und 200-MP-Kamera
  • Größerer 4200-mAh-Akku soll trotz dünnerem Gehäuse verbaut werden

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