Samsungs Galaxy S6 setzt bei ersten Benchmarks ein Ausrufezeichen

In Sachen des neuen Flaggschiff-Smartphones Galaxy S6 von Samsung hat sich bereits angedeutet, dass der Hersteller hier mit der Leistungsfähigkeit des Gerätes ordentlich punkten will. Und nach Daten eines Benchmark-Tests, die nun auftauchten, scheint das auch tatsächlich zu gelingen. So setzte sich laut einem Bericht des chinesischen Magazins MyDrivers beim Antutu-Benchmark jetzt ein neues Gerät an die Spitze, das als SM-G925W8 ausgewiesen wird. Es wird als ziemlich wahrscheinlich angesehen, dass hinter dieser Typennummer das Modell Galaxy S6 Edge steht. Die aufgelisteten Spezifikationen entsprechen dabei im Wesentlichen dem, was bereits vermutet worden war. Antutu-Benchmark: Exynos 5433 vs. 7420 So ist das neue Gerät mit einem Exynos-Prozessor von Samsung selbst ausgestattet. Konkret handelt es sich um das Modell Exynos 7420, der in dem Test sogar noch deutlich bessere Ergebnisse brachte als der Exynos 5433, der im Galaxy Note 4 zu finden ist. In dem neuen SoC arbeiten demnach nun acht Kerne. Vier von ihnen basieren auf ARMs Cortex-A53-Design und sind dafür da, die Alltags-Aufgaben des Smartphones zu erledigen. Wird mehr Leistung benötigt, können noch vier weitere Cores zugeschaltet werden, die auf der stärkeren Cortex-A57-Architektur beruhen. Die maximale Taktung liegt dabei jeweils bei 2,1 Gigahertz.

Dem Prozessor steht dabei noch eine Grafikeinheit vom Typ Mali T760 MP6 zur Seite. Die Chips können bei ihrer Arbeit außerdem auf 3 Gigabyte Arbeitsspeicher zugreifen. Im Benchmark bringt es die Elektronik dabei auf einen Gesamtwert von 60.978 Punkten, was einem neuen Antutu-Rekord entspricht. Besonders Leistungsstark präsentiert sich die Architektur dabei im Rahmen von 3D-Berechnungen, womit Samsung vor allem die Spiele-Fans ansprechen dürfte.


Eine solch hohe Leistung würde im Fall des Falles wahrscheinlich dazu führen, dass das Gerät beim Betrieb entsprechend hungriger Software schnell den Akku leersaugt. Dem weiß Samsung aber wohl entgegenzuwirken. Während Qualcomms neuer High End-Chip Snapdragon 810 in einem 20-Nanometer-Verfahren hergestellt wird, kann Samsung bereits mit 14 Nanometern aufwarten, was den Energiebedarf entsprechend niedriger ausfallen lässt. Spezifikationen des Modells SM-G925W8