Samsung bringt erste 3GB-Arbeitsspeicher für Handys

Der südkoreanische Elektronikkonzern Samsung hat die Massenproduktion von neuen Arbeitsspeicher-Bauelementen für Smartphones und andere mobile Geräte aufgenommen. Diese kommen mit einer Kapazität von 3 Gigabyte daher. Es handle sich um die industrieweit ersten Low-Power Double Data Rate 3 (LPDDR3)-DRAM-Chips mit diesem Speicherplatz, erläuterte das Unternehmen. Sie sollen die bisher größten Bauelemente ablösen, die es auf 2 Gigabyte brachten, und damit eine neue Generation von leistungsfähigeren Smartphones ermöglichen.

In den Komponenten wurden sechs einzelne Chips zusammengeführt. Zwei Sets mit jeweils drei einzelnen Chips werden dabei im Packaging übereinandergestapelt, trotzdem beschränkt sich die Höhe des Bauteils letztlich auf 0,8 Millimeter. Die Chips selbst werden in einem 20-Nanometer-Verfahren produziert.

Die neuen Komponenten können über eine Schnittstelle mit einer Bandbreite von 2.133 Megabit pro Sekunde mit dem Prozessor kommunizieren, so Samsung. Dabei stehen zwei symmetrische Datenübertragungskanäle zur Verfügung, die mit jeweils einem 1,5-Gigabyte-Bauteil verbunden sind. Dadurch soll der Datenfluss auch in Situationen schnell bleiben, in denen es sonst zu Staus auf der einzelnen Verbindung kam.