Micron: Sprung bei Flash-Speicherdichte und GDDR6 in der Pipeline

Chip, Speicher, Flash, Micron Bildquelle: Micron
Vom Chiphersteller Micron sollen in diesem Jahr noch neue Flash-Bausteine mit einer ordentlichen Steigerung der Speicherdichte auf den Markt kommen. Weiterhin dürfen sich insbesondere Gamer auf das nächste Jahr freuen, in dem dann eine neue Generation von GDDR-Arbeitsspeichern verfügbar sein soll.
Die neue Roadmap, die das Unternehmen jetzt im Rahmen einer Analystenkonferenz der Öffentlichkeit präsentierte, hat für viel Wohlwollen gesorgt. Denn während die Weiterentwicklung von Prozessoren und Grafikchips zwar regelmäßig viel Aufmerksamkeit auf sich ziehen kann, sind es letztlich doch die angeschlossenen Speicherelemente, die einen nicht minder großen Teil zur Weiterentwicklung des Computings beitragen.

Und hier will Micron in den kommenden Monaten einige große Fortschritte verfügbar machen. Noch in diesem Jahr soll beispielsweise ein neuer 3D-NAND-Flash auf den Markt kommen, der sehr kompakt sein soll und eine höhere Speicherdichte bietet. Der Hersteller will jetzt hier 64 einzelne Layer mit Speicherzellen übereinander stapeln. Auf einer Die-Größe von nur 59 Quadratmillimetern soll der Chip so eine Kapazität von 256 Gigabit bereitstellen.

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Das bedeutet nicht nur, dass Speicherelemente mit wesentlich geringerem Platzbedarf bereitgestellt werden können. Die kleineren Dies lassen auch die Ausbeute pro verarbeitetem Wafer um etwa ein Viertel steigen, so dass die Preise pro Chip im Rahmen bleiben werden. Spätestens im Dezember will Micron die Massenproduktion dieser Chips anlaufen lassen. Dass es schon etwas früher der Fall sein könnte, ist ebenfalls realistisch, denn Muster aus Kleinserien werden bereits an Kunden verschickt.

Im Laufe des kommenden Jahres will das Unternehmen außerdem eine neue Generation von Grafikspeicher auf den Markt bringen, der dem GDDR6-Standard folgt. Aktuell kann Micron GDDR5X für die schnellsten Anwendungen liefern, der 10 Gigabit pro Sekunde bringt. Weiterentwicklungen sollen das Maximum auf 14 Gigabit pro Sekunde bringen. GDDR6 startet dann gleich mit 16 Gigabit pro Sekunde.


Etwas weniger spektakulär waren dann die Ankündigungen im DRAM-Segment. Hier hat Micron in der letzten Zeit ja vor allem die Umstellung der Fertigung auf 20-Nanometer-Architekturen vorangetrieben. Das ist nun abgeschlossen und schon beginnen in den ersten Fertigungslinien Umbauten auf die nächste Stufe. Die 1X-Verfahren werden dann wohl 16 Nanometer bringen. Ab dem zweiten Halbjahr 2017 will Micron dann auch schon 1Y-Technologien bringen, während man parallel an 1Z forscht. Was diese aber dann bringen werden, wurde noch nicht konkreter gesagt. Auf die mit Intel entwickelte 3D-Xpoint-Technologie wurde nicht genauer eingegangen - hier dürfte es zum passenden Zeitpunkt gesonderte Ankündigungen geben. Chip, Speicher, Flash, Micron Chip, Speicher, Flash, Micron Micron
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