Neue Flash-Chips erlauben 128-GB-Speicherkarten

Auch wenn es mittlerweile diverse Alternativen zum herkömmlichen Flash-Speicher gibt, bleibt noch einiges Innovationspotenzial, wie der koreanische Elektronikkonzern Samsung jetzt beweist. Das Unternehmen hat den Herstellungsprozess weiter miniaturisiert und einen ersten 30-Nanometer-Chip mit 64 Gbit Kapazität vorgestellt. Damit übertrifft man die Speicherkapazität aktueller Flash-Chips um das Vierfache. Auf einem dieser Chips ließen sich acht Gigabyte Daten speichern. Eine wie bisher üblich mit 16 solcher Bausteine bestückte Speicherkarte würde also 128 Gigabyte speichern können. Wenn die Chips in Solid State Disks Verwendung finden, wären beim Einsatz von 64 Stück bis zu 512 Gigabyte Speicherkapazität möglich.

Bis die neuen 30-Nanometer-Flash-Module aus dem Hause Samsung jedoch im Massenmarkt Einzug halten, wird noch einige Zeit vergehen. Erst ab 2009 will man mit der Massenproduktion beginnen. Dann dürfte es nicht mehr lange Dauern, bis erste Mp3-Player, Speicherkarten und ähnliche Flash-basierte Produkte auf den Markt kommen, die Kapazitäten jenseits von 32 Gigabyte bieten.

Samsung treibt die Entwicklung von NAND Flash-Speicher derzeit zügig voran, schließlich ist auch die Nachfrage konstant sehr groß. Erst im April 2007 hatte das Unternehmen mit der Massenproduktion von 16 Gbit Modulen im 51-Nanometer-Maßstab begonnen. Davor hatte man erst im August 2006 neue 8 Gbit Module im 60-Nanometer-Maßstab eingeführt.