Samsung: Neue eUFS-Chips bringen 512 GB Speicher in Smartphones

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Der koreanische Elektronikgigant Samsung hat heute den Beginn der Produktion der ersten Embedded-Speicherlösung für Smartphones mit einer Kapazität von 512 Gigabyte bekannt gegeben. Die Speichersparte des Unternehmens bringt damit erstmals eine solch große Kapazität in nur einem Chip unter. Samsung teilte mit, dass man mit der Massenproduktion der branchenweit ersten eUFS-Speicherlösung mit 512 Gigabyte Kapazität begonnen hat. Das Unternehmen produziert das auf dem UFS-2.1-Standard basierenden Speichermodul unter Verwendung seiner kürzlich eingeführten 64-Layer-V-NAND-Chips mit 512 Gigabit Kapazität, die wiederum in 8 Lagen übereinandergestapelt werden und so die Kapazität von 512 Gigabyte erreichen sollen. Man stapelt also reichlich NAND-Speicher dreidimensional übereinander, legt noch einen Controller obendrauf und steigert so die Kapazität deutlich, ohne dabei mehr Platz zu benötigen als bei der bisherigen 256 Gigabyte 48-Layer-Technik.
Samsung 512 Gigabyte UFS-SpeicherchipsSamsungs neue Flash-Chips haben... Samsung 512 Gigabyte UFS-Speicherchips...ganze 512 GB Kapazität - für Smartphones
Mit dem neuen Speichermodul will das Unternehmen nach eigenen Angaben ganz klar den High-End-Bereich bedienen und so die Grundlage für die Integration von noch mehr Flash-Speicher schaffen. Natürlich drängt sich dabei die Annahme auf, dass die Koreaner auch ihr eigenes kommendes Flaggschiff-Modell Samsung Galaxy S9 im Hinterkopf haben. Konkret werden acht V-NAND-Chips mit 512 Gigabit zusammen mit einem entsprechenden Controller in einem Gehäuse untergebracht, um so die höchstmögliche Kapazität zu erreichen.

Samsung zufolge war zuvor bei seinen eUFS-Lösungen bei 256 Gigabyte Schluss, so dass der neue Chip eine Verdopplung darstellt, ohne dass dafür im Gerät selbst mehr Platz benötigt würde. Der Hersteller verspricht unter anderem, dass man mit dem eingebauten Controller Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 255 Megabyte pro Sekunde erreicht, während beim Lesen bis zu 860 MB/s möglich sein sollen. Die Zahl der Random-IO-Operationen soll bis zu 42.000 pro Sekunde erreichen können.

Mit Blick auf die in dem Chip verwendeten V-NAND-Chips mit 512-Gigabit-Kapazität kündigte man einen Ausbau des Produktionsvolumens an und stellte außerdem eine Erweiterung der Kapazitäten für 256-Gb-V-NAND in Aussicht. Das Unternehmen will damit der immer weiter steigenden Nachfrage rund um Embedded-Speicher für Mobilgeräte, hochwertige SSDs und Speicherkarten Rechnung tragen, ohne dass dabei Einbußen bei Kapazität, Speicherdichte und Performance zu erwarten sein sollen.

Wann die ersten Geräte mit den neuen 512-GB-Chips auf den Markt kommen sollen, ließ Samsung zunächst offen, es dürfte jedoch höchstens bis zur Einführung der Galaxy S9-Serie dauern, bis es soweit ist. Smartphone, Samsung, Chip, Speicher, Flash, Samsung Galaxy S9, eUFS Smartphone, Samsung, Chip, Speicher, Flash, Samsung Galaxy S9, eUFS Samsung
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