800-GB-SSD für Supercomputer:
Samsung stellt Premium-Modell vor
Unter der Bezeichnung SZ985 Z-SSD hat Samsung ein neues SSD-Modell vorgestellt, das eine zehnmal höhere Leseleistung als V-NAND-Speicher mitbringt. Damit will der Konzern nach eigener Aussage im Wachstumsmarkt der Premium-Modelle ein konkurrenzfähiges Produkt bieten können, das für Anwendungen im Bereich Künstliche Intelligenz, Big Data und das Internet der Dinge zum Einsatz kommt.
Samsung SZ985 Z-SSD
Demnach habe man die SZ985 Z-SSD in Hinblick auf Anwendungen wie Künstliche Intelligenz, Big Data und das Internet der Dinge optimiert. Für die hohe Leistungsfähigkeit sind Z-NAND-Speicherchips verantwortlich, die im Vergleich mit 3-Bit-V-NAND-Chips eine zehnmal höhere Leseleistung erreichen sollen. Dazu kommt ein integrierter SSD-Controller, der mit 1,5 GB LPDDR4-RAM ausgerüstet wurde. Nach den bisher verfügbaren Informationen können so 750.000 IOPS Leseleistung und 16 Mikrosekunden Latenz erreicht werden. Für die zufällige Schreibgeschwindigkeit gibt Samsung einen Wert von 170.000 IOPS an.
Zum Start der neuen Z-SSD-Modelle will Samsung neben dem 800 GB-Modell auch eine Version mit 240 GB Kapazität anbieten, die offizielle Vorstellung soll dann auf der International Solid-State Circuits Conference stattfinden - hier wird der Konzern dann vermutlich auch Angaben zu Preisen und Verfügbarkeit nachreichen.
Eine SSD für die Supercomputer-Systeme der Zukunft
Im Vorfeld der International Solid-State Circuits Conference, die am 11. Februar in San Francisco ihre Tore öffnet, hat Samsung eine neue SSD mit einer Kapazität von 800 GB enthüllt, die vor allem Kunden begeistern soll, die den Speicher im Bereich High Peformance Computing (HPC) einsetzen. "Wir erwarten, dass wir mit der fortschrittlichen 800-GByte-Z-SSD erheblich zur Einführung einer neuen Generation von Supercomputing-Systemen in der nahen Zukunft beitragen", so Jihman Han, Senior Vice President der Sparte Memory Product Planning & Application Engineering bei Samsung.
Samsung SZ985 Z-SSD
Demnach habe man die SZ985 Z-SSD in Hinblick auf Anwendungen wie Künstliche Intelligenz, Big Data und das Internet der Dinge optimiert. Für die hohe Leistungsfähigkeit sind Z-NAND-Speicherchips verantwortlich, die im Vergleich mit 3-Bit-V-NAND-Chips eine zehnmal höhere Leseleistung erreichen sollen. Dazu kommt ein integrierter SSD-Controller, der mit 1,5 GB LPDDR4-RAM ausgerüstet wurde. Nach den bisher verfügbaren Informationen können so 750.000 IOPS Leseleistung und 16 Mikrosekunden Latenz erreicht werden. Für die zufällige Schreibgeschwindigkeit gibt Samsung einen Wert von 170.000 IOPS an.
Weitere Varianten geplant
Darüber hinaus will Samsung auch bei der Zuverlässigkeit Werte erreichen, die die SSD für High Peformance Computing interessant machen. Der Konzern sichert zu, dass die Z-SSD über fünf Jahre 30-mal pro Tag vollständig neu beschrieben werden kann. Darüber hinaus betont der Konzern, dass die mittlere Betriebsdauer vor Ausfällen bei zwei Millionen Stunden liegt.Zum Start der neuen Z-SSD-Modelle will Samsung neben dem 800 GB-Modell auch eine Version mit 240 GB Kapazität anbieten, die offizielle Vorstellung soll dann auf der International Solid-State Circuits Conference stattfinden - hier wird der Konzern dann vermutlich auch Angaben zu Preisen und Verfügbarkeit nachreichen.
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