Noch schneller: Toshiba baut Daten-Abkürzungen in seine Flash-Chips

Der direkte Weg ist fast immer der schnellste. Diese Alltagserfahrung will der japanische Elektronikkonzern Toshiba in seinen zukünftigen 3D-Flash-Chips umsetzen, um diese wesentlich schneller und effizienter zu machen. Dafür werden die einzelnen ... mehr... Chip, Speicher, Flash, Micron Bildquelle: Micron Chip, Speicher, Flash, Micron Chip, Speicher, Flash, Micron Micron

Diese Nachricht vollständig anzeigen.

Jetzt einen Kommentar schreiben
 
Ich muss meine SSD auch mal Durchbohren vielleicht wird sie ja dann auch schneller :D
 
@Quasyboy: Was wohl viele gern an ihrer Samsung 840 EVO austesten würden, für einige gehts ja gar nicht schlechter (zumindest was man so in Foren liest, ich habe "glücklicherweise" nur 830 und 850 pro, die sind beide top). :-)
 
@Kennbo: Hab vor 2 Jahren unwissentlich ne 840 gekauft, hab keinerlei Probleme damit. Im Notebook werkelt seit 6 Monaten ne 850er :)
 
Ganz so neu ist TSV aber auch wieder nicht.
Bei RAM gibt’s das mindestens schon 1 Jahr.

Samsung baut zum Beispiel DDR4 Ram mit Stacked Chips und TSV.

http://www.samsung.com/global/business/semiconductor/news-events/press-releases/printer?newsId=13602
 
Was ist denn jetzt genau der Unterschied zwischen 3D-NAND und dem 3D-XPoint von Intel? Verstehe ich es richtig, dass beide Technologien eine 3D Anordnung der Speicherschichten haben. Nur ist das von Intel kein NAND sondern ein komplett anderer Ansatz?
 
@something: Ist es .. einfach gesprochen..
ja es ist ein anderer Ansatz.. Erstens gibt es keine Transistoren sondern Memristoren die zum Speichern benutzt werden und es kann bei 3D XPOINT jede Speicherzelle einzeln angesprochen werden.. bei MLC oder TLC muss der Block zuerst gelöscht (wiped) werden und dann als Block neu beschrieben werden.
Vor allem ist dies ein blockweiser, zusätzlicher Zugriff.. den man sich bei 3D X-Point sparen kann..

Beispiel für TLC: Im Block steht 1 0 0 nun soll aber 1 1 0 rein also wird zuerst (wiped) dann 1 1 0 reingeschrieben, bei der nächsten Änderung wieder und wieder so kommen natürlich Schreibzugriffe auf alle Transistoren eines Block zu, selbst auf die die nicht geändert werden müssten....

Bei 3D Xpoint ist jedes Bit wegen der Cross Struktur siehe Bahnenanordnung einzeln ansteuerbar und man braucht kein Wipe .. es wird auch nur geändert was wirklich geändert werden muss....

Der Vorteil alleine hier multipliziert sich natürlich auf... je grösser die zu schreibende Menge ist.. da immer wieder ganze Blöcke zuerst geräumt werden müssen... es macht einen Unterschied ob ich 3 Mio Bit einzeln schreibe oder jeweils 1 Bit in 3 Mio Blocks ändern müsste

Zusätzlich ist es technisch ein ganz anderer Ansatz als Transistoren...
auf eine gewisse Art.. einfacher
einfach mal drüberlesen

https://de.wikipedia.org/wiki/Memristor

Im Memristor ist der ausgelesene Wert abhängig vom Widerstand.. der aber graduell viel feiner unterschieden werden kann als nur 1 und 0... es gibt inzwischen Memristoren in denen man für eine Zelle 10 unterschiedliche Zustände unterscheiden kann... man könnte so z.B. auch 0 0 0 von 0 0 1, 0 1 0, 0 1 1, 1 0 0, 1 0 1, 1 1 0 und 1 1 1 unterscheiden... und in einer einzigen Zelle speichern...
Vielleicht geht da irgendwann ja auch noch mehr... pro Zelle... 20 oder mehr Zustände je nach Feinheit der Widerstandsunterscheidung...
 
@tommit: Okay werde mich damit mal bei Gelegenheit näher befassen! Danke schon mal für den kurzen Einstieg in das Thema. Ich finde das persönlich sehr interessant, obwohl es sehr komplex ist.
Kommentar abgeben Netiquette beachten!

Beiträge aus dem Forum