Durchbruch bei der Oxid-Elektronik für große LCDs
Forschern vom Institut für Experimentelle Physik der Universität Leipzig ist es erstmals gelungen, einen Oxid-Feldeffekttransistor mit pn-Diode als Gate herzustellen. Das stellt einen wichtigen Durchbruch im Bereich preisgünstiger, großflächiger ... mehr...
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Christian Kahle
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