Samsung: Neue Flash-Chips erlauben verdoppelte SSD-Kapazität

Chip, Speicher, Flash, Micron Bildquelle: Micron
Auch der südkoreanische Elektronikkonzern Samsung strebt jetzt mit neuen Flash-Bausteinen auf den Markt, die es auf Speicherkapazitäten von 256 Gigabit bringen. Mit diesen will das Unternehmen vor allem im SSD-Segment ein ordentliches Stück vorankommen - immerhin kann man hier in der Spitze nun die Kapazitäten quasi verdoppeln.
Die konkurrierende Partnerschaft zwischen Toshiba und SanDisk hatte kürzlich erst die ersten Flash-Chips mit einer solchen Speicherkapazität vorgestellt. Samsung zieht nun nicht nur nach, indem eben solche Speicherkomponenten in die Massenproduktion gebracht werden, sondern kann auch Marktbereiche ansprechen, bei denen die Wettbewerber eher außen vor bleiben dürften.

Neuer 3D-NAND von SanDisk und ToshibaNeuer 3D-NAND von SanDisk und ToshibaNeuer 3D-NAND von SanDisk und ToshibaNeuer 3D-NAND von SanDisk und Toshiba

Denn Toshiba und SanDisk setzen bei ihren Chips auf die Triple-Cell-Technologie (TLC), um die Speicherdichte nach oben zu treiben. Samsung bleibt hingegen beim bewährten Multilevel-Cell-Design (MLC), wodurch man eine deutlich höhere Verlässlichkeit bieten will. Das ist vor allem ein Vorteil, wenn es darum geht, den anspruchsvollen aber lukrativen Enterprise-Markt zu bedienen und Datenzentren mit SSDs auszurüsten. Hier kann Samsung mit den neuen Chips nun quasi Geräte im klassischen 2,5-Zoll-Format bereitstellen, die bis zu 8 Terabyte Daten aufnehmen können.

Aber auch die verschiedenen anderen Anwendungsbereiche werden natürlich davon profitieren, dass auf einem einzelnen Chip nun 32 Gigabyte untergebracht werden können. Um die Chips zu konstruieren setzten die Samsung-Ingenieure auf die 3D Charge Trap Flash (CTF)-Struktur, die ebenfalls schon seit einiger Zeit im Einsatz und entsprechend bewährt ist. Über die 48 Layer, die hier übereinandergeschichtet wurden, summiert sich die Zahl der verfügbaren Speicherzellen auf über 85,3 Milliarden.

Die neuen Chips bieten laut Samsung nicht nur eine erheblich höhere Speicherdichte, sondern benötigen im Vergleich auch weniger Energie. Gegenüber dem Vorgänger, bei dem 128 Gigabit auf 32 Layern verteilt wurden, liegt die Stromaufnahme für die gleiche Datenmenge nun rund 30 Prozent niedriger. Außerdem konnte durch den Umstieg auf 48 Layer die Effektivität bei der Produktion um rund 40 Prozent gesteigert werden, was sich entsprechend auf die Preisgestaltung auswirken soll. Immerhin geht es hier zunehmend auch darum, nicht nur den anderen Flash-Herstellern, sondern auch den Festplatten Konkurrenz zu machen. Chip, Speicher, Flash, Micron Chip, Speicher, Flash, Micron Micron
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