SanDisk und Toshiba verdoppeln Speicherdichte in neuem 3D-Flash
Erst im März hatte Toshiba seine ersten Chips mit 48 Layern vorgestellt, die es damals aber erst auf die Hälfte der Kapazität brachten. Betrachtet man die Geschwindigkeit, mit der nun die neue Architektur vorgestellt wurde, scheint sich die Kooperation durchaus auszuzahlen. Für die Partner ist es dabei auch notwendig, möglichst hochwertige Chips liefern zu können, um die Investitionen in das gemeinsame Werk schnell wieder hereinzubekommen. Dessen Aufbau hat alles in allem immerhin fast 5 Milliarden Dollar verschlungen.
Für die Produktion der neuen Flash-Komponenten setzten die Unternehmen einen Lithographie-Prozess für Strukturweiten von 15 Nanometern ein. Die neuen Chips sollen dabei die volle Bandbreite an Flash-Anwendungen bedienen und so als Speicher in Smartphones und Tablets dienen und auch als SSDs, Speicherkarten und USB-Sticks verkauft werden.
Zugrunde liegt dabei ein Triple-Cell-Modell (TLC), bei dem jeder Transistor drei Bit repräsentieren kann. Die bisherigen Architekturen verwenden zumeist Multi-Level-Cell (MLC)-Technologien, die es nur auf zwei Bit bringen. Damit dürfte Samsung, der bisher Marktführer bei 3D-NAND-Technologien ist, deutlich Gegenwind bekommen.
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Christian Kahle
Redakteur bei WinFuture
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