MRAM-Konsortium treibt DRAM-Nachfolger voran

Samsung, Arbeitsspeicher, DRAM Bildquelle: Samsung
Ein Konsortium aus über 20 Unternehmen aus Japan und den USA wollen den DRAM-Nachfolger MRAM weiter voranbringen. Ziel ist die Reife für den Massenmarkt bis 2017, 2018 sollen erste Geräte verfügbar sein.
Wie Nikkei Asian Report berichtet, wird das Konsortium die Forschungsarbeit der Tohoku Universität finanziell unterstützen, um die Entwicklung von MRAM auf einen Stand für die Massenfertigung zu bringen. Zusammengeschlossen haben sich demnach bekannte Chiphersteller wie Tokyo Electron, Shin-Etsu Chemical, Renesas Electronics, Hitachi sowie Micron Technology. Micron hat dazu bereits öffentlich Pläne geäußert, dass das Unternehmen 2018 MRAM einsetzten möchte. Der Nikkei-Report stammt aus nicht bestätigten Quellen.

Für den Endkunden wird sich die neue Technologie vor allem durch Schnelligkeit auszeichnen, so Nikkei. Zunächst sollen MRAM bei mobilen Geräten eingesetzt werden. Smartphone und Tablets stehen zuerst auf den Upgardeplänen, später sollen Laptops folgen. Vorteil gegenüber den bisher eingesetzten DRAM und SRAM ist vor allem die geringere Energie, die benötigt wird. Besonders bei Smartphones könnte damit ein MRAM-Modul große Leistungssteigerung versprechen. Im Vergleich zum DRAM kommt MRAM außerdem auf die zehnfache Schreibgeschwindigkeit.

Dem Bericht zufolge soll Samsung bereits eine eigene Entwicklungsabteilung für MRAM beschäftigten. Das südkoreanische Unternehmen gehört allerdings nicht dem Konsortium an.

MRAM steht für Magnetoresistive Random Access Memory. Anders als bei den bekannten DRAM oder SRAM wird hier nicht anhand elektrischer Ladungen, sondern magnetisch gespeichert. MRAM wurde in den 1990ern entwickelt und gilt als eine nichtflüchtige Speichertechnik. Speicher, Ram, MRAM Speicher, Ram, MRAM SPIN TORQUE
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