Samsung liefert neue Phasenwechselspeicher aus

Speicher Der südkoreanische Elektronikkonzern Samsung hat mit der Auslieferung der industrieweit ersten Phasenwechselspeicher-Chips (Phase-Change Random Access Memory, PRAM) begonnen. Die Komponenten kommen mit 512 Megabit Kapazität. Sie wurden speziell für den Einsatz in Mobiltelefonen und anderen tragbaren Anwendungen entwickelt, teilte das Unternehmen mit. Die PRAM-Chips sind demnach hard- und softwareseitig abwärtskompatibel zu NOR-Flash-Speichern der 40-Nanometer-Klasse.

NOR-Flash soll in Kürze von der neuen Technologie abgelöst werden. "Speicher für portable Elektronikgeräte stehen heute an einem wichtigen Wendepunkt. Zurückzuführen ist dies auf mobile Anwendungen, die zunehmend mehr unterschiedliche Speichertechnologien verlangen", sagte Dong-soo Jun, Executive Vice President, Memory Sales and Marketing, bei Samsung.

PRAM speichert Daten in einem resistiven Phase-Change-Element. Als Basismaterial dient eine Legierung aus Germanium, Antimon und Titan. Die PRAM-Technologie erreicht beim Speichern von Daten eine drei Mal höhere Performance als NOR-Chips.

Samsungs neuer Speicher kombiniert dabei die nichtflüchtigen Eigenschaften von Flash-Speicher mit der hohen Geschwindigkeit von DRAM. Als Ersatz für NOR-Speicher können PRAMs in Mobiltelefonen und anderen mobilen Anwendungen wie MP3-Playern, Personal Multimedia Playern und Navigationsgeräten die steigende Nachfrage nach sehr schnellen, nichtflüchtigen Speichern mit hohen Speicherkapazitäten leicht erfüllen.
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