Samsung startet Massenproduktion von 20-nm-Flash

Speicher Der südkoreanische Elektronikkonzern Samsung hat mit der Massenproduktion der industrieweit ersten NAND-Flash-Speicher mit Strukturweiten von 20 Nanometern begonnen. Die neuen Flash-Speicher eignen sich für den Einsatz in SD-Speicherkarten sowie für Embedded-Memory-Lösungen. Samsung fertigt die Chips nach eigenen Angaben derzeit mit einer Kapazität von jeweils 32 Gigabit. Erst im März 2009 hatte das Unternehmen mit der Fertigung von 30-Nanometer-Modulen begonnen.

"In nur einem Jahr nach dem Produktionsstart von 30-Nanomater-NAND-Chips können wir den Kunden heute NAND-Flash-Speicher der nächsten Generation mit Halbleiterstrukturen der 20nm-Klasse anbieten", verkündete Soo-In Cho, Leiter der Speichersparte bei Samsung, hinsichtlich des Produktionsstarts.

Samsungs neue Chips bieten gegenüber den bisherigen 30-Nanometer-Versionen eine Produktivitätssteigerung von 50 Prozent. Die Schreibgeschwindigkeit einer SD-Karte, die 20-Nanometer-Flash-Speicherchips enthält und über 8 Gigabyte oder mehr Speicherplatz verfügt, ist demnach außerdem 30 Mal höher als bislang. Dazu trägt auch die Integration neuer Controller-Technologien bei.

Speicherkarten mit 20-Nanometer-Speicherchips werden zukünftig mit Kapazitäten von 4 Gigabyte bis 64 Gigabyte angeboten. Insbesondere den Smartphone-Markt hat das Unternehmen dabei im Visier. Samsung liefert bereits jetzt einen wesentlichen Teil seiner Flash-Produktion an Apple.
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