Hybrid-Chip soll Moorsches Gesetz am Leben halten

Forschern um Tomas Palacios vom renommierten Massachusetts Institute of Technology (MIT) ist es gelungen, einen Gallium-Nitrit-Layer in einen Silizium-Chip einzubetten.

Dies soll zukünftig dafür sorgen, dass das Moorsche Gesetz bei der Weiterentwicklung von Chips nicht an seine Grenzen stößt. Die von Intel-Gründer Gordon Moore postulierte Regel besagt, dass sich die Zahl der Transistoren auf einem integrierten Schaltkreis etwa alle zwei Jahre verdoppelt.


Bei reinen Silizium-Chips dürfte allerdings bald eine Grenze erreicht sein, wo sich die dafür notwendige Verkleinerung der Strukturen nicht mehr ohne weiteres durchführen lässt. Wissenschaftler suchen deshalb schon länger nach alternativen Materialien.

Gallium-Nitrit gilt hier als heißer Kandidat. Allerdings ist es bisher nicht gelungen, mit dem Material die gleiche Effizienz und Zuverlässigkeit wie bei Silizium-Chips zu erreichen. Palacios schlug deshalb vor, beide Materialien miteinander zu kombinieren, um die jeweiligen Stärken nutzen zu können.

Nun konnte er mit seinen Studenten den ersten Hybrid-Chip dieser Art präsentieren. Der Prototyp bildet den Angaben zufolge eine gute Ausgangsposition für weitere Entwicklungen - wie beispielsweise die Integration optischer Schaltungen in das Bauelement, was deutliche Performance-Vorteile bringen würde.

Die Technologie wird voraussichtlich in einigen Jahren kommerziell einsetzbar sein. Bis dahin müssen beispielsweise noch Methoden gefunden werden, den neuen Layer auch auf Wafer aufbringen zu können, die groß genug für die Massenproduktion sind.