Details zur 65-nm-Technik von Intel

Hardware Vor kurzem gab der Halbleiter-Gigant Intel neue Details zur kommenden 65 Nanometer Technologie bekannt. In ferner Vergangenheit präsentierte Intel eine erste SRAM-Zelle in 65 Nanometer Linienbreite, wobei man die Transistorengeometrie nicht behandelte. Die neuen Transistoren werden wie bei dem großen 90 Nanometer Fertigungs-Bruder auf Strained Silicon - wir berichteten - hergestellt. Dabei beträgt die Kanallänge 35 Nanometer, bei den derzeitigen 90 Nanometer Prozessoren ist eine 50 Nanometer Kanallänge gegeben. Die halbierte Kanallänge soll die Schaltzeiten und die dynamische Performance wesentlich verkürzen.

Die Dicke des Gateoxids bleibt weiterhin auf 1,2 Nanometer - was fünf Atomlagen ausmacht - und derzeit die unterste Grenze des Machbaren einnimmt, weil eine weitere Verkleinerung so genannte Leckströme auslösen würde und dadurch die Lebensdauer verringert. Auf Grund der geringen Kanallänge erreicht Intel eine bessere Gatekapazität, was höhere Taktraten ermöglicht, des weiteren reduziert sich die Fläche der Transistoren um den Faktor zwei bei einer geringeren Linienbreite. Somit scheint das Moorsche Gesetz, welches eine Verdopplung der Transistorenanzahl eines Chips alle 18 Monate beschreibt, erfüllt zu sein. Laut Intel habe man die zuvor erwähnten Leckströme effektiv verringert, was wohl an der niedrigeren Betriebsspannung und am Strained Silicon liegen dürfte. Normalerweise verstärken die immer kleiner werdenden Kanallängen diese Leckströme durch einen parasitären Effekt, doch Intel will diese Problematik im Griff haben.
Etwas höhere Herstellkosten sollte der Umstieg in der Verdrahtungsebene von vormals sieben auf acht Lagen bringen, schließlich benötigt man deshalb mehr Arbeitsschritte zur Fertigung, allerdings kann man damit aber die Transistoren weiter optimieren und mehr Leistung aus den Chips kitzeln. Dennoch sollten diese erhöhten Fertigungskosten durch die geringeren Kosten für die verkleinerten Transistoren und der Tatsache das nun mehr Prozessoren auf einen Wafer Platz finden, in den Schatten gerückt werden. Außerdem wurde das Füllmaterial der 90 Nanometer Herstellung noch weiter optimiert, was in weiterer Folge mehr Performance bedeutet.

Intel scheint deren Zeitplan zu Einführung der neuen 65 Nanometer Prozessoren doch einhalten zu können, obwohl vor einiger Zeit noch Gerüchte auf eine Verschiebung ins Jahr 2007 im Umlauf waren. Wir dürfen also gespannt sein ob Intel durch diese Fertigung nicht nochmals ein Hitze-Debakel erleben wird, wie seiner Zeit beim Prescott in der 90 Nanometer Technik.

Quelle: Hardtecs4u.de

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